产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2147)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
(2147)
筛选品牌
Ampleon USA Inc.(584)
CEL(21)
Central Semiconductor Corp(1)
Cree/Wolfspeed(41)
Fairchild/ON Semiconductor(52)
Infineon Technologies(231)
IXYS(31)
M/A-Com Technology Solutions(59)
Microsemi Corporation(42)
Nexperia USA Inc.(1)
NXP USA Inc.(875)
ON Semiconductor(26)
STMicroelectronics(169)
Toshiba Semiconductor and Storage(14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780S-4
型号:
MRF8P23080HSR5
仓库库存编号:
MRF8P23080HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780
型号:
MRF8S19140HR3
仓库库存编号:
MRF8S19140HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S19140HSR3
仓库库存编号:
MRF8S19140HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S19140HSR5
仓库库存编号:
MRF8S19140HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230-8
型号:
MRF8S19260HR6
仓库库存编号:
MRF8S19260HR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
型号:
MRF8S19260HSR5
仓库库存编号:
MRF8S19260HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
型号:
MRF8S19260HSR6
仓库库存编号:
MRF8S19260HSR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780
型号:
MRF8S21120HR3
仓库库存编号:
MRF8S21120HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780
型号:
MRF8S21140HR3
仓库库存编号:
MRF8S21140HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780
型号:
MRF8S21140HR5
仓库库存编号:
MRF8S21140HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S21140HSR3
仓库库存编号:
MRF8S21140HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S21140HSR5
仓库库存编号:
MRF8S21140HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.4A 2.14GHz 18.1dB 48W NI-1230
型号:
MRF8S21200HR5
仓库库存编号:
MRF8S21200HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780
型号:
MRF8S26120HR3
仓库库存编号:
MRF8S26120HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780S
型号:
MRF8S26120HSR3
仓库库存编号:
MRF8S26120HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780S
型号:
MRF8S26120HSR5
仓库库存编号:
MRF8S26120HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 70V 960MHZ NI780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 960MHz 19.4dB 65W NI-780
型号:
MRF8S9220HR3
仓库库存编号:
MRF8S9220HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 70V 960MHZ NI780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 960MHz 19.4dB 65W NI-780
型号:
MRF8S9220HR5
仓库库存编号:
MRF8S9220HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780
型号:
MRF8S23120HR3
仓库库存编号:
MRF8S23120HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780
型号:
MRF8S23120HR5
仓库库存编号:
MRF8S23120HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S
型号:
MRF8S23120HSR3
仓库库存编号:
MRF8S23120HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S
型号:
MRF8S23120HSR5
仓库库存编号:
MRF8S23120HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S
型号:
MRFE6VP61K25HSR6
仓库库存编号:
MRFE6VP61K25HSR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H36265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-36265-2
型号:
PTFA070601EV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA070601EV4XWSA1-ND
别名:PTFA070601E V4
PTFA070601E V4-ND
SP000641268
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H36265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-36265-2
型号:
PTFA070601EV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA070601EV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA070601E V4 R250
PTFA070601E V4 R250-ND
SP000641270
产品分类:分立半导体产品,规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号