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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F3DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F3DPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F3DPQA0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F4DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F4DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• IXYS
  DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
  详细描述：标准 通孔 二极管 30A TO-247（HA）
  
  型号：DHG30I600HA
  仓库库存编号：DHG30I600HA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
  
  型号：1N4734A
  仓库库存编号：1N4734AMS-ND
  别名：1N4734AMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• IXYS
  DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：DPG60C400HB
  仓库库存编号：DPG60C400HB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 30A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA30M65DF2
  仓库库存编号：497-15842-5-ND
  别名：497-15842-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
  
  型号：FST30100
  仓库库存编号：FST30100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 428W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH25T120SMD_F155
  仓库库存编号：FGH25T120SMD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH450P2
  仓库库存编号：IXTH450P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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  不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGTH00TS65DGC11
  仓库库存编号：RGTH00TS65DGC11-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F5DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Sanken
  TRANS PNP 180V 15A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 15A 20MHz 85W Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SA1673
  仓库库存编号：2SA1673-ND
  别名：2SA1673 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 27V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTX1N971B-1
  仓库库存编号：1086-15477-ND
  别名：1086-15477-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 27V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JANTX1N972B-1
  仓库库存编号：1086-15478-ND
  别名：1086-15478-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-2
  详细描述：标准 通孔 二极管 80A TO-247-2
  
  型号：RURG8060_F085
  仓库库存编号：RURG8060_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 80A 319.2W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 319.2W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW50N60DTPXKSA1
  仓库库存编号：IKW50N60DTPXKSA1-ND
  别名：SP001379678
  
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  MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 250V 2A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5131
  仓库库存编号：SMA5131-ND
  别名：SMA5131 DK
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI030N06
  仓库库存编号：FDI030N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP300N04T2
  仓库库存编号：IXTP300N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 185W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 60A 185W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP30NC60K
  仓库库存编号：497-7014-5-ND
  别名：497-7014-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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