产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115ES,126
仓库库存编号：
PDTC115ES,126-ND
别名：934057567126
PDTC115ES AMO
PDTC115ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115TS,126
仓库库存编号：
PDTC115TS,126-ND
别名：934058784126
PDTC115TS AMO
PDTC115TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123ES,126
仓库库存编号：
PDTC123ES,126-ND
别名：934057568126
PDTC123ES AMO
PDTC123ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123JS,126
仓库库存编号：
PDTC123JS,126-ND
别名：934057569126
PDTC123JS AMO
PDTC123JS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123YS,126
仓库库存编号：
PDTC123YS,126-ND
别名：934058786126
PDTC123YS AMO
PDTC123YS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124TS,126
仓库库存编号：
PDTC124TS,126-ND
别名：934057570126
PDTC124TS AMO
PDTC124TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124XS,126
仓库库存编号：
PDTC124XS,126-ND
别名：934057571126
PDTC124XS AMO
PDTC124XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143TS,126
仓库库存编号：
PDTC143TS,126-ND
别名：934057572126
PDTC143TS AMO
PDTC143TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143XS,126
仓库库存编号：
PDTC143XS,126-ND
别名：934057573126
PDTC143XS AMO
PDTC143XS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144TS,126
仓库库存编号：
PDTC144TS,126-ND
别名：934057575126
PDTC144TS AMO
PDTC144TS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144VS,126
仓库库存编号：
PDTC144VS,126-ND
别名：934058785126
PDTC144VS AMO
PDTC144VS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP04CN10NG
仓库库存编号：
IPP04CN10NGIN-ND
别名：IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4104-701PBF
仓库库存编号：
IRFU4104-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40KDE206P
仓库库存编号：
IRG4PC40KDE206P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号：
IRFU3709Z-701P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L-103PBF
仓库库存编号：
IRF6215L-103PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3706-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号：
IRFSL23N20D102P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 900V 51A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PF50WD-201P
仓库库存编号：
IRG4PF50WD-201P-ND
别名：SP001541540
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 38A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3518-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3710Z-701P
仓库库存编号：
IRFU3710Z-701P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 38W TO220FP
详细描述：IGBT NPT 600V 11A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGIB6B60KD116P
仓库库存编号：
IRGIB6B60KD116P-ND
别名：SP001546234
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7833-701PBF
仓库库存编号：
IRLU7833-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7843-701PBF
仓库库存编号：
IRLU7843-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
无铅
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