以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 125V 32A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 32A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：BUT70W
  仓库库存编号：497-7213-5-ND
  别名：497-7213-5
  BUT70W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 100V 3A
  
  型号：1N5186
  仓库库存编号：1N5186-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 200V 3A
  
  型号：1N5187
  仓库库存编号：1N5187-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 500V 3A
  
  型号：1N5189
  仓库库存编号：1N5189-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 600V 3A
  
  型号：1N5190
  仓库库存编号：1N5190-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 7.5V 1.5W DO204AL
  详细描述：Zener Diode 7.5V 1.5W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
  
  型号：1N4462
  仓库库存编号：1N4462-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220
  详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 30A Through Hole ISOPLUS220?
  
  型号：DSEE29-06CC
  仓库库存编号：DSEE29-06CC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14M100B
  仓库库存编号：APT14M100B-ND
  别名：APT14M100BMP
  APT14M100BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  
  型号：JAN1N4568A-1
  仓库库存编号：1086-18158-ND
  别名：1086-18158
  1086-18158-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N80P
  仓库库存编号：IXFR20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35
  
  型号：JANTXV1N750A-1
  仓库库存编号：1086-15589-ND
  别名：1086-15589-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35
  
  型号：JANTXV1N746A-1
  仓库库存编号：1086-15588-ND
  别名：1086-15588-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH69N30P
  仓库库存编号：IXFH69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 313W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH25N120FTDS
  仓库库存编号：FGH25N120FTDS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44N50P
  仓库库存编号：IXTQ44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 43A 150W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXA27IF1200HJ
  仓库库存编号：IXA27IF1200HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N120BD1
  仓库库存编号：IXGH20N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 200V 1A
  
  型号：JAN1N3611
  仓库库存编号：1086-1996-ND
  别名：1086-1996
  1086-1996-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 400V 1A
  
  型号：JAN1N3612
  仓库库存编号：1086-1997-ND
  别名：1086-1997
  1086-1997-MIL
  Q8501595
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL
  详细描述：标准 通孔 二极管 50V 300mA
  
  型号：JAN1N6643
  仓库库存编号：1086-20040-ND
  别名：1086-20040
  1086-20040-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 60A 534W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 534W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB30N120L2WG
  仓库库存编号：NGTB30N120L2WGOS-ND
  别名：NGTB30N120L2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 43A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP90BG
  仓库库存编号：APT15GP90BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
  
  型号：JANTX1N4101-1
  仓库库存编号：1086-15311-ND
  别名：1086-15311-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 通孔,
• 
  
  含铅
• 搜索