产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717PBF
仓库库存编号：
IRLR3717PBF-ND
别名：*IRLR3717PBF
SP001568638
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDATMA1-ND
别名：SP001117738
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名：SP000652618
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 52.3A（DC） PG-TO263-3-2
型号：
IDB30E60ATMA1
仓库库存编号：
IDB30E60ATMA1TR-ND
别名：IDB30E60
IDB30E60-ND
SP000013917
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名：SP000840196
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD06N60C3ATMA1-ND
别名：SP001117770
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288136
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1
仓库库存编号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
别名：SP001258924
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288150
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.8A（Tc） 62.5W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名：SP000949266
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7316QTR
仓库库存编号：
AUIRF7316QTR-ND
别名：SP001518472
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7319QTR
仓库库存编号：
AUIRF7319QTR-ND
别名：SP001520168
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名：SP001101896
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号：
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名：SP000876560
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名：SP000866562
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SGB02N120
仓库库存编号：
SGB02N120ATMA1CT-ND
别名：SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 84A（Tc） 4.2W（Ta），63W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN8401TR
仓库库存编号：
AUIRFN8401TR-ND
别名：SP001522256
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号：
AUIRFR6215TRL-ND
别名：SP001522196
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60RAATMA2
仓库库存编号：
IKD10N60RAATMA2TR-ND
别名：IKD10N60RA
IKD10N60RA-ND
IKD10N60RAATMA1
SP000707606
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000928260
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
IGB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
SP000014616
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R650CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：安装类型 表面贴装,
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