产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2505)
二极管 - 整流器 - 阵列
(26)
二极管 - 整流器 - 单
(51)
二极管 - 射频
(61)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
(51)
二极管 - 齐纳 - 单
(286)
晶闸管 - DIAC,SIDAC
(1)
晶闸管 - SCR
(3)
晶闸管 - TRIAC
(10)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(12)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(154)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(202)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
(181)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(18)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
(949)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(454)
晶体管 - JFET
(34)
晶体管 - 特殊用途
(11)
筛选品牌
NXP USA Inc.(2505)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 360mA 2.17GHz 14dB 28W NI-780S-4
型号:
MRF8HP21130HSR5
仓库库存编号:
MRF8HP21130HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 300mA 2.62GHz 15dB 14W NI-780-4
型号:
MRF8P26080HR3
仓库库存编号:
MRF8P26080HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 300mA 2.62GHz 15dB 14W NI-780S-4
型号:
MRF8P26080HSR5
仓库库存编号:
MRF8P26080HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230
型号:
MRF8P29300HR5
仓库库存编号:
MRF8P29300HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 2A 820MHz 20.9dB 96W NI-1230S
型号:
MRF8P8300HSR5
仓库库存编号:
MRF8P8300HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 70V 895MHZ NI880
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 895MHz 21.1dB 70W NI-880
型号:
MRF8S8260HR3
仓库库存编号:
MRF8S8260HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 70V 895MHZ NI880S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 895MHz 21.1dB 70W NI-880S
型号:
MRF8S8260HSR3
仓库库存编号:
MRF8S8260HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 70V 920MHZ OM780-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 920MHz 19dB 58W OM-780-2
型号:
MRF8S9202NR3
仓库库存编号:
MRF8S9202NR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230S
型号:
MRFE6VP5600HSR6
仓库库存编号:
MRFE6VP5600HSR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L01,112
仓库库存编号:
NUR460/L01,112-ND
别名:934066108112
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L02,112
仓库库存编号:
568-9720-5-ND
别名:568-9720
568-9720-5
568-9720-ND
934066109112
NUR460/L02,112-ND
NUR460L02112
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 4A DO-201AD
型号:
NUR460/L04,112
仓库库存编号:
NUR460/L04,112-ND
别名:934066197112
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9837-5-ND
别名:568-9837-5
934066478127
BUK751R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9848-5-ND
别名:568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R0-80E,127
仓库库存编号:
568-9854-5-ND
别名:568-9854-5
934066516127
BUK7E4R080E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 54A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9515-60E,127
仓库库存编号:
568-9858-5-ND
别名:568-9858-5
934066475127
BUK951560E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9859-5-ND
别名:568-9859-5
934066519127
BUK951R630E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R3-40E,127
仓库库存编号:
568-9861-5-ND
别名:568-9861-5
934066419127
BUK952R340E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9862-5-ND
别名:568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R2-40E,127
仓库库存编号:
568-9863-5-ND
别名:568-9863-5
934066421127
BUK953R240E127
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号