产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.93GHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 26V 1.3A 1.93GHz 13.5dB 24W NI-880
型号：
MRF19125R5
仓库库存编号：
MRF19125R5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.6dB 19W NI-780S
型号：
MRF21085LSR3
仓库库存编号：
MRF21085LSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.17GHz 15dB 10W NI-400-240
型号：
MRF21045LR3
仓库库存编号：
MRF21045LR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.16GHz ~ 2.17GHz 15dB 10W NI-400S
型号：
MRF21045LSR5
仓库库存编号：
MRF21045LSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.17GHz 15dB 10W NI-400S
型号：
MRF21045LSR3
仓库库存编号：
MRF21045LSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.16GHz ~ 2.17GHz 15dB 10W NI-400
型号：
MRF21045LR5
仓库库存编号：
MRF21045LR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 2.14GHz 13dB 30W NI-400
型号：
MRF21030LR5
仓库库存编号：
MRF21030LR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360
型号：
MRF21010LR5
仓库库存编号：
MRF21010LR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 2.14GHz 13dB 30W NI-400
型号：
MRF21030LR3
仓库库存编号：
MRF21030LR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360 Short Lead
型号：
MRF21010LSR5
仓库库存编号：
MRF21010LSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360 Short Lead
型号：
MRF21010LSR1
仓库库存编号：
MRF21010LSR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 1.99GHz 17.2dB 50W NI-880
型号：
MRF7S19170HR5
仓库库存编号：
MRF7S19170HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 16dB 50W NI-880S
型号：
MRF7S21170HS
仓库库存编号：
MRF7S21170HS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 1.99GHz 17.2dB 50W NI-880S
型号：
MRF7S19170HSR5
仓库库存编号：
MRF7S19170HSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 20GHZ SOT343F
详细描述：RF Transistor NPN 2.8V 40mA 70GHz 136mW Surface Mount 4-DFP
型号：
BFU725F,115
仓库库存编号：
BFU725F,115-ND
别名：934061142115
BFU725F T/R
BFU725F T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B
型号：
BLF6G10LS-200,112
仓库库存编号：
BLF6G10LS-200,112-ND
别名：934060895112
BLF6G10LS-200
BLF6G10LS-200-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B
型号：
BLF6G10LS-200,118
仓库库存编号：
BLF6G10LS-200,118-ND
别名：934060895118
BLF6G10LS-200 /T3
BLF6G10LS-200 /T3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号：
J174,126
仓库库存编号：
J174,126-ND
别名：934005290126
J174 AMO
J174 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号：
J176,126
仓库库存编号：
J176,126-ND
别名：934005310126
J176 AMO
J176 AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN113EK,115
仓库库存编号：
PBRN113EK,115-ND
别名：934058955115
PBRN113EK T/R
PBRN113EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN113ES,126
仓库库存编号：
PBRN113ES,126-ND
别名：934058999126
PBRN113ES AMO
PBRN113ES AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN113ZK,115
仓库库存编号：
PBRN113ZK,115-ND
别名：934058959115
PBRN113ZK T/R
PBRN113ZK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN113ZS,126
仓库库存编号：
PBRN113ZS,126-ND
别名：934059136126
PBRN113ZS AMO
PBRN113ZS AMO-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN123EK,115
仓库库存编号：
PBRN123EK,115-ND
别名：934058958115
PBRN123EK T/R
PBRN123EK T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 NXP USA Inc.,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN123ES,126
仓库库存编号：
PBRN123ES,126-ND
别名：934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
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