产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4069DPBF
仓库库存编号:
IRGP4069DPBF-ND
别名:SP001535800
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 284W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW32N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW32N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-ND
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3IN-ND
SPW32N50C3X
SPW32N50C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247-3
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50UD-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50UD-EPBF-ND
别名:*IRG4PC50UD-EPBF
IRG4PC50UDEPBF
SP001544774
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 108A COPAK247
详细描述:IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH46UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH46UD-EP-ND
别名:SP001540700
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BSD235NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD235NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSD235N H6327CT
BSD235N H6327CT-ND
BSD235NH6327
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta),18A(Tc) 2.7W(Ta),45W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7675M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7675M2CT-ND
别名:AUIRF7675M2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 83A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7787PBF
仓库库存编号:
IRFB7787PBF-ND
别名:SP001570798
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R800C3
仓库库存编号:
IPA90R800C3-ND
别名:IPA90R800C3XKSA1
SP000413718
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803VSPBF
仓库库存编号:
IRL3803VSPBF-ND
别名:SP001576506
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 16.5A 125W TO220
详细描述:IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SGP07N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP07N120XKSA1-ND
别名:SGP07N120
SGP07N120-ND
SP000683116
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W TO262
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-262
型号:
IRG4BC40W-LPBF
仓库库存编号:
IRG4BC40W-LPBF-ND
别名:SP001537000
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Ta),120A(Tc) 3W(Ta),214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI020N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPI020N06NAKSA1-ND
别名:IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R165CP
仓库库存编号:
IPW60R165CP-ND
别名:IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 600V 48A 250W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4062DPBF
仓库库存编号:
IRGP4062DPBF-ND
别名:SP001545058
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 1200V 41A 160W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG4PH40UD2-EP
仓库库存编号:
IRG4PH40UD2-EP-ND
别名:*IRG4PH40UD2-EP
IRG4PH40UD2EP
SP001533572
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 600V 80A 428W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole TO-247-3
型号:
IKW75N60TA
仓库库存编号:
IKW75N60TA-ND
别名:IKW75N60TAFKSA1
SP000647368
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IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 78A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PSH71KDPBF-ND
别名:*IRG4PSH71KDPBF
SP001547842
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 70mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
型号:
BAS7004WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BAS7004WH6327XTSA1CT-ND
别名:BAS7004WH6327XTSA1CT
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DIODE RF SGL 30V 100MA SOD-323
详细描述:RF Diode PIN - Single 30V 250mW PG-SOD323-2
型号:
BAR6503WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BAR6503WE6327HTSA1CT-ND
别名:BAR6503WE6327HTSA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL306NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL306NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL306NH6327XTSA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),83A(Tc) 3.4W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8321TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8321TRPBFCT-ND
别名:IRFH8321TRPBFCT
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MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
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