以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 11A 38W TO220FP
  详细描述：IGBT NPT 600V 11A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRGIB6B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGIB6B60KDPBF-ND
  别名：*IRGIB6B60KDPBF
  SP001533840
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB600N25N3 G
  仓库库存编号：IPB600N25N3 GCT-ND
  别名：IPB600N25N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 183A（Tc） 290W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7734TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7734TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 187W TO263-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3
  
  型号：IGB30N60H3ATMA1
  仓库库存编号：IGB30N60H3ATMA1CT-ND
  别名：IGB30N60H3ATMA1CT
  IGB30N60H3CT
  IGB30N60H3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
  详细描述：IGBT 650V 74A 255W Through Hole TO-220-3
  
  型号：IGP40N65H5XKSA1
  仓库库存编号：IGP40N65H5XKSA1-ND
  别名：SP001001738
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB039N10N3 G
  仓库库存编号：IPB039N10N3 GCT-ND
  别名：IPB039N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB03N03LB G
  仓库库存编号：IPB03N03LBGINCT-ND
  别名：IPB03N03LBG
  IPB03N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R190C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R190C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R190C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4321TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4321TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4321TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB011N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB011N04NGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N04S4H0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N04S4H0ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717
  仓库库存编号：IRF3717-ND
  别名：*IRF3717
  SP001561700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R230P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R230P6FKSA1-ND
  别名：SP001017088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），83A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB056N10NN3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB056N10NN3 GCT
  BSB056N10NN3 GCT-ND
  BSB056N10NN3GXUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7534TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7534TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：AUIRF1404ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF1404ZSTRLCT-ND
  别名：AUIRF1404ZSTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7430TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7430TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS7430TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB031N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB031N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB031N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPP100N10S3-05
  IPP100N10S3-05-ND
  IPP100N10S305
  SP000407126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80P06P G
  仓库库存编号：SPB80P06PGINCT-ND
  别名：SPB80P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S302AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S302AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S3-02
  IPP120N04S3-02-ND
  IPP120N04S302
  SP000261228
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4310ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFS4310ZTRLCT-ND
  别名：AUIRFS4310ZTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 80A 305W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW40N60R
  仓库库存编号：IHW40N60R-ND
  别名：IHW40N60RFKSA1
  SP000357222
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7430GPBF
  仓库库存编号：IRFB7430GPBF-ND
  别名：SP001554620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB027N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索