以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7103QTR
  仓库库存编号：AUIRF7103QCT-ND
  别名：AUIRF7103QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
  
  型号：AUIRLL2705TR
  仓库库存编号：AUIRLL2705TRCT-ND
  别名：AUIRLL2705TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD053N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD053N06N-ND
  IPD053N06NATMA1CT
  IPD053N06NCT
  IPD053N06NCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3915TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3915TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3915TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709PBF
  仓库库存编号：IRF3709PBF-ND
  别名：*IRF3709PBF
  SP001570060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4420DYPBFCT-ND
  别名：*SI4420DYTRPBF
  SI4420DYPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC022N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC022N04LSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N04NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC019N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC019N04NS GCT
  BSC019N04NS GCT-ND
  BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6619
  仓库库存编号：IRF6619CT-ND
  别名：IRF6619CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB081N06L3 G
  仓库库存编号：IPB081N06L3 GCT-ND
  别名：IPB081N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S5L1R5ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S51R7ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC098N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N06N3 G
  仓库库存编号：IPB054N06N3 GCT-ND
  别名：IPB054N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH6N03LAG
  仓库库存编号：IPDH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH6N03LAGINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT
  IPDH6N03LAGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ44NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ44NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3BTMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
  IPD90R1K2C3CT
  IPD90R1K2C3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3ATMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRF60R217
  仓库库存编号：IRF60R217CT-ND
  别名：IRF60R217CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ019N03LS
  仓库库存编号：BSZ019N03LSCT-ND
  别名：BSZ019N03LSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8202TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8202TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8202TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03LS GCT
  BSC016N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索