产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IPM IGBT 650V 30A PG-MDIP-24
详细描述：Power Driver Module IGBT 2 Phase 650V 30A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IFCM30T65GDXKMA1
仓库库存编号：
IFCM30T65GDXKMA1-ND
别名：SP001423504
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM30F60GAXKMA1
仓库库存编号：
IKCM30F60GAXKMA1-ND
别名：SP001247216
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 2 Phase 600V 20A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM20R60GDXKMA1
仓库库存编号：
IKCM20R60GDXKMA1-ND
别名：SP001293434
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 20A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM20L60HDXKMA1
仓库库存编号：
IKCM20L60HDXKMA1-ND
别名：SP001370946
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IPM IGBT 650V 20A PG-MDIP-24
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 650V 20A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IFCM20U65GDXKMA1
仓库库存编号：
IFCM20U65GDXKMA1-ND
别名：SP001423502
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 63.3A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
别名：SP000895318
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IPM IGBT 650V 30A PG-MDIP-24
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 650V 30A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IFCM30U65GDXKMA1
仓库库存编号：
IFCM30U65GDXKMA1-ND
别名：SP001423506
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IFPS MODULES 24MDIP
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 30A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
型号：
IKCM30F60HDXKMA1
仓库库存编号：
IKCM30F60HDXKMA1-ND
别名：SP001370952
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 44A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
IDW30G120C5BFKSA1
仓库库存编号：
IDW30G120C5BFKSA1-ND
别名：SP001123716
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR141E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR141E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 141 E6327CT
BCR 141 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002NH6327XTSA1
仓库库存编号：
SN7002NH6327XTSA1CT-ND
别名：SN7002NH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
MMBTA06LT1HTSA1
仓库库存编号：
MMBTA06LT1HTSA1CT-ND
别名：MMBTA 06 LT1CT
MMBTA06LT1INCT
MMBTA06LT1INCT-ND
MMBTA06LT1XTINCT
MMBTA06LT1XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR185SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR185SH6327XTSA1CT-ND
别名：BCR 185S H6327CT
BCR 185S H6327CT-ND
BCR185SH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号：
BB639CE7904HTSA1
仓库库存编号：
BB639CE7904HTSA1CT-ND
别名：BB 639C E7904CT
BB 639C E7904CT-ND
BB639CE7904HTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD316SNL6327XT
仓库库存编号：
BSD316SNL6327XTCT-ND
别名：BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327INCT-ND
BSD316SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX 55-16 E6327
仓库库存编号：
BCX55-16E6327INCT-ND
别名：BCX55-16E6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR302NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR302NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSR302N L6327CT
BSR302N L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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TRANS NPN 60V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BCP 55-16 E6327
仓库库存编号：
BCP 55-16 E6327CT-ND
别名：BCP 55-16 E6327CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
SMBT3906E6327HTSA1
仓库库存编号：
SMBT3906E6327HTSA1CT-ND
别名：SMBT3906INCT
SMBT3906INCT-ND
SMBT3906XTINCT
SMBT3906XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
SMBTA06E6327HTSA1
仓库库存编号：
SMBTA06E6327HTSA1CT-ND
别名：SMBTA06E6327INCT
SMBTA06E6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE PIN SGL 80V 100MA TSLP2-19
详细描述：RF Diode PIN - Single 80V 250mW TSLP-2-19
型号：
BAR9002ELE6327XTMA1
仓库库存编号：
BAR9002ELE6327XTMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS138NH6433XTMA1CT-ND
别名：BSS138NH6433XTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7324D1PBFCT-ND
别名：*IRF7324D1TRPBF
IRF7324D1PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7421D1PBFCT-ND
别名：*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC847PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC847PNH6327XTSA1CT-ND
别名：BC 847PN H6327CT
BC 847PN H6327CT-ND
BC847PNH6327XTSA1CT
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