产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AD
详细描述:IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4650D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4650D-EPBF-ND
别名:IRGP4650DEPBF
SP001535810
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 370W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 600V 75A 370W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP50B60PDPBF
仓库库存编号:
IRGP50B60PDPBF-ND
别名:*IRGP50B60PDPBF
63-0006PBF
63-0006PBF-ND
SP001536552
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65NH5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65NH5XKSA1-ND
别名:IKZ75N65NH5
SP001160050
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099CP
仓库库存编号:
IPW60R099CP-ND
别名:IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CPXK
IPW60R099CSX
SP000067147
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 100A TO247-4
详细描述:IGBT 650V 100A 536W Surface Mount PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65EL5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65EL5XKSA1-5-ND
别名:IKZ75N65EL5XKSA1-5
SP001174456
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 90A TO247AD
详细描述:IGBT 600V 140A 483W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP6690D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP6690D-EPBF-ND
别名:SP001542324
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50KDPBF-ND
别名:*IRG4PH50KDPBF
SP001536014
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 17A Through Hole TO-247-3
型号:
IDW10G120C5BFKSA1
仓库库存编号:
IDW10G120C5BFKSA1-ND
别名:SP001071786
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
详细描述:IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRGPS40B120UPBF
仓库库存编号:
IRGPS40B120UPBF-ND
别名:*IRGPS40B120UPBF
SP001540742
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSC71KPBF
仓库库存编号:
IRG4PSC71KPBF-ND
别名:*IRG4PSC71KPBF
SP001536004
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 53.5A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R070C6
仓库库存编号:
IPW65R070C6-ND
别名:IPW65R070C6FKSA1
SP000745034
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 650V 140A 455W TO247AC
详细描述:IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4266DPBF
仓库库存编号:
IRGP4266DPBF-ND
别名:SP001542370
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PSH71UDPBF-ND
别名:*IRG4PSH71UDPBF
SP001547822
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BC857BE6327HTSA1
仓库库存编号:
BC857BE6327HTSA1CT-ND
别名:BC857BE6327INCT
BC857BE6327INCT-ND
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TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BC857AE6327HTSA1
仓库库存编号:
BC857AE6327HTSA1CT-ND
别名:BC 857A E6327CT
BC 857A E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR166E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR166E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 166 E6327CT
BCR 166 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR166E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR166E6327HTSA1DKR-ND
别名:BCR 166 E6327DKR
BCR 166 E6327DKR-ND
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DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 250mA(DC) PG-SOT23-3
型号:
BAL74E6327HTSA1
仓库库存编号:
BAL74E6327HTSA1CT-ND
别名:BAL 74 E6327CT
BAL 74 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR148E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR148E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 148 E6327CT
BCR 148 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCW61CE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCW61CE6327HTSA1CT-ND
别名:BCW 61C E6327CT
BCW 61C E6327CT-ND
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TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCX71JE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCX71JE6327HTSA1CT-ND
别名:BCX 71J E6327CT
BCX 71J E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
BAW156E6327HTSA1
仓库库存编号:
BAW156E6327HTSA1CT-ND
别名:BAW 156 E6327CT
BAW 156 E6327CT-ND
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DIODE RF CA 150V 100MA SOT-23
详细描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100mA 250mW PG-SOT23-3
型号:
BAR 64-06 E6327
仓库库存编号:
BAR 64-06 E6327CT-ND
别名:BAR 64-06 E6327CT
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MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS7728N H6327CT
BSS7728N H6327CT-ND
BSS7728NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT143
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 80V 200mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA
型号:
BAS28E6327HTSA1
仓库库存编号:
BAS28E6327HTSA1CT-ND
别名:BAS 28 E6327CT
BAS 28 E6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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