产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），44A（Tc） 3.2W（Ta），30W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8334TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8334TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8334TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.2W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8337TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRLHS2242TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS2242TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS2242TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H37265-3
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-37265-2
型号：
PTFA070601FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA070601FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA070601F V4 R250
PTFA070601F V4 R250-ND
SP000641274
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-37248-2
型号：
PTFA071701FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA071701FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA071701F V4 R250
PTFA071701F V4 R250-ND
SP000707916
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-37248-2
型号：
PTFB191501FV1R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFB191501FV1R250XTMA1TR-ND
别名：PTFB191501F V1 R250
PTFB191501F V1 R250-ND
SP000695474
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB06N60ATMA1
仓库库存编号：
SKB06N60ATMA1TR-ND
别名：SKB06N60
SKB06N60-ND
SP000012427
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB565H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB565H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 565 H7912
BB 565 H7912-ND
SP000842826
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB689H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB689H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 689 H7912
BB 689 H7912-ND
SP000842828
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
BSL308CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL308CL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL308C L6327
BSL308C L6327-ND
SP000473910
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名：BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H37265-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-37265-2
型号：
PTFA070601FV4XWSA1
仓库库存编号：
PTFA070601FV4XWSA1-ND
别名：PTFA070601F V4
PTFA070601F V4-ND
SP000641272
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-37248-2
型号：
PTFA071701FV4XWSA1
仓库库存编号：
PTFA071701FV4XWSA1-ND
别名：PTFA071701F V4
PTFA071701F V4-ND
SP000707914
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-37248-2
型号：
PTFB191501FV1XWSA1
仓库库存编号：
PTFB191501FV1XWSA1TR-ND
别名：PTFB191501F V1
PTFB191501F V1-ND
SP000695472
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ31HXKSA1-ND
别名：BUZ31 H
BUZ31 H-ND
BUZ31H
SP000682992
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31L H
仓库库存编号：
BUZ31L H-ND
别名：BUZ31LH
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73HXKSA1-ND
别名：BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号：
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名：BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H
仓库库存编号：
BUZ73A H-ND
别名：BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H3046
仓库库存编号：
BUZ73A H3046-ND
别名：BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73ALHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73ALHXKSA1-ND
别名：BUZ73AL H
BUZ73AL H-ND
BUZ73ALH
SP000683012
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73LHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73LHXKSA1-ND
别名：BUZ73L H
BUZ73L H-ND
SP000683014
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO247HC
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 5A（DC） PG-TO247HC-3
型号：
IDY10S120XKSA1
仓库库存编号：
IDY10S120XKSA1-ND
别名：IDY10S120
IDY10S120-ND
SP000797646
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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