产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(8919)
二极管 - 桥式整流器
(6)
二极管 - 整流器 - 阵列
(152)
二极管 - 整流器 - 单
(367)
二极管 - 射频
(141)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(129)
功率驱动器模块
(106)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(42)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(64)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(164)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(339)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
(194)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(316)
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
(353)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(5552)
晶体管 - IGBT - 模块
(81)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(908)
晶体管 - JFET
(2)
晶体管 - 特殊用途
(3)
筛选品牌
Infineon Technologies(8919)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号：
BG3430RH6327XTSA1
仓库库存编号：
BG3430RH6327XTSA1TR-ND
别名：BG 3430R H6327
BG 3430R H6327-ND
SP000753498
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 23dB PG-SOT363-6
型号：
BG5120KH6327XTSA1
仓库库存编号：
BG5120KH6327XTSA1TR-ND
别名：BG 5120K H6327
BG 5120K H6327-ND
SP000753500
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG5412KH6327XTSA1
仓库库存编号：
BG5412KH6327XTSA1TR-ND
别名：BG 5412K H6327
BG 5412K H6327-ND
SP000753502
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
详细描述：RF Transistor NPN 5V 12mA 50mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号：
BGR405H6327XTSA1
仓库库存编号：
BGR405H6327XTSA1TR-ND
别名：BGR 405 H6327
BGR 405 H6327-ND
SP000750466
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB019N03LX G
仓库库存编号：
BSB019N03LX G-ND
别名：SP000597826
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB024N03LX G
仓库库存编号：
BSB024N03LX G-ND
别名：SP000597838
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB053N03LP G
仓库库存编号：
BSB053N03LP G-ND
别名：SP000597830
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD840N L6327
仓库库存编号：
BSD840N L6327-ND
别名：SP000464874
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF053N03LT G
仓库库存编号：
BSF053N03LT G-ND
别名：SP000597832
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF083N03LQ G
仓库库存编号：
BSF083N03LQ G-ND
别名：SP000597834
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL314PE L6327
BSL314PE L6327-ND
SP000473004
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP50H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP50H6327XTSA1-ND
别名：BSP 50 H6327
BSP 50 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP51H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP51H6327XTSA1-ND
别名：BSP 51 H6327
BSP 51 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP52H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP52H6327XTSA1-ND
别名：BSP 52 H6327
BSP 52 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP60H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP60H6327XTSA1-ND
别名：BSP 60 H6327
BSP 60 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP61H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP61H6327XTSA1-ND
别名：BSP 61 H6327
BSP 61 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP62H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP62H6327XTSA1-ND
别名：BSP 62 H6327
BSP 62 H6327-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名：BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS314PE L6327
BSS314PE L6327-ND
SP000473000
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS806NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
SP000464848
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS816NW L6327
仓库库存编号：
BSS816NW L6327-ND
别名：SP000464852
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83P L6327-ND
别名：BSS83P L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB09E60ATMA1
仓库库存编号：
IDB09E60ATMA1TR-ND
别名：IDB09E60
IDB09E60-ND
SP000013914
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A（DC） PG-TO263-3
型号：
IDB15E60
仓库库存编号：
IDB15E60-ND
别名：SP000278565
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
311
312
313
314
315
316
317
318
319
320
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
