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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL306NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL306NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL306N L6327INCT
  BSL306N L6327INCT-ND
  BSL306NL6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL315PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL315P L6327INCT
  BSL315P L6327INCT-ND
  BSL315PL6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL802SNL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL802SNL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL802SN L6327INCT
  BSL802SN L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03SNTMA1
  仓库库存编号：BSO080P03SNTMA1CT-ND
  别名：BSO080P03SINCT
  BSO080P03SINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO220N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO220N03MS GINCT
  BSO220N03MS GINCT-ND
  BSO220N03MSG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO330N02KGFUMA1
  仓库库存编号：BSO330N02KGFUMA1CT-ND
  别名：BSO330N02K GINCT
  BSO330N02K GINCT-ND
  BSO330N02KG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS205NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS205NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS205N L6327INCT
  BSS205N L6327INCT-ND
  BSS205NL6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03M G
  仓库库存编号：IPD031N03M GINCT-ND
  别名：IPD031N03M GINCT
  IPD031N03MG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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  DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 40V 120mA PG-SCD80-2
  
  型号：BAT6402WH6327XTSA1
  仓库库存编号：BAT6402WH6327XTSA1CT-ND
  别名：BAT 64-02W H6327INCT
  BAT 64-02W H6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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  IGBT 600V 8A 75W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IKD04N60R
  仓库库存编号：IKD04N60RINCT-ND
  别名：IKD04N60RINCT
  
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  IGBT 600V 12A 100W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IKD06N60R
  仓库库存编号：IKD06N60RINCT-ND
  别名：IKD06N60RINCT
  
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  IGBT 600V 20A 150W TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IKD10N60R
  仓库库存编号：IKD10N60RINCT-ND
  别名：IKD10N60RINCT
  
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  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6
  仓库库存编号：IPD60R380C6INCT-ND
  别名：IPD60R380C6INCT
  
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6BTMA1CT
  IPD60R600C6INCT
  IPD60R600C6INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6
  仓库库存编号：IPD60R950C6INCT-ND
  别名：IPD60R950C6INCT
  
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  MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5004TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5004TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5004TR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5015TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5015TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5015TR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5020TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5020TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5020TR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5250DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5250DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5250DTR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5255TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5255TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5255TR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5302DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5302DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5302DTR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5304TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5304TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5304TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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  MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRLH5030TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5030TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5030TR2PBFCT
  
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  DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA892H6127XTSA1
  仓库库存编号：BA892H6127XTSA1TR-ND
  别名：BA 892 H6127
  BA 892 H6127-ND
  SP000745042
  
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• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA892H6770XTSA1
  仓库库存编号：BA892H6770XTSA1TR-ND
  别名：BA 892 H6770
  BA 892 H6770-ND
  SP000745044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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