产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2FP
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 3A(DC) PG-TO220-2 整包
型号:
IDV03S60CXKSA1
仓库库存编号:
IDV03S60CXKSA1-ND
别名:IDT03S60C
IDT03S60C-ND
IDV03S60C
IDV03S60C-ND
SP000274985
SP000732198
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名:IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB05CN10N G
仓库库存编号:
IPB05CN10N G-ND
别名:SP000096440
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB06CN10N G
仓库库存编号:
IPB06CN10N G-ND
别名:SP000096446
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB08CN10N G
仓库库存编号:
IPB08CN10N G-ND
别名:SP000096448
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB08CNE8N G
仓库库存编号:
IPB08CNE8N G-ND
别名:SP000096449
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB12CN10N G
仓库库存编号:
IPB12CN10N G-ND
别名:SP000096450
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB12CNE8N G
仓库库存编号:
IPB12CNE8N G-ND
别名:SP000096451
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB16CN10N G
仓库库存编号:
IPB16CN10N G-ND
别名:SP000096452
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB26CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB26CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB26CN10N G
IPB26CN10N G-ND
SP000277692
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-263
型号:
IPB26CNE8N G
仓库库存编号:
IPB26CNE8N G-ND
别名:SP000292948
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名:IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB79CN10N G
仓库库存编号:
IPB79CN10N G-ND
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