产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S08ATMA1
仓库库存编号:
SPB80N06S08ATMA1TR-ND
别名:SP000054056
SP000084808
SPB80N06S-08
SPB80N06S-08-ND
SPB80N06S08
SPB80N06S08T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2-05-ND
别名:SP000016351
SPB80N06S205T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2-07-ND
别名:SP000013578
SPB80N06S207T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-08
仓库库存编号:
SPB80N06S2-08-ND
别名:SP000016356
SPB80N06S208T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2-H5-ND
别名:SP000013795
SPB80N06S2H5T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-06-ND
别名:SP000013577
SPB80N06S2L06T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-07-ND
别名:SP000016357
SPB80N06S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-09-ND
别名:SP000013582
SPB80N06S2L09T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2-07-ND
别名:SP000016355
SPB80N08S207T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80P06P
仓库库存编号:
SPB80P06P-ND
别名:SP000012841
SPB80P06PT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06P
仓库库存编号:
SPD08P06P-ND
别名:SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 25A(Tc) 75W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号:
SPD22N08S2L-50-ND
别名:SP000013910
SPD22N08S2L50T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD25N06S2-40
仓库库存编号:
SPD25N06S2-40-ND
别名:SP000013572
SPD25N06S240T
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含铅
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号:
SPD26N06S2L-35-ND
别名:SP000013570
SPD26N06S2L35T
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-15
仓库库存编号:
SPD30N06S2-15-ND
别名:SP000012477
SPD30N06S215T
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2-23-ND
别名:SP000013596
SPD30N06S223T
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
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SPD30N06S2L-13
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