产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 100A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC59D170H
仓库库存编号：
SIDC59D170H-ND
别名：SP000013979
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 100A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC73D170E6
仓库库存编号：
SIDC73D170E6-ND
别名：SP000013927
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 150A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC78D170H
仓库库存编号：
SIDC78D170H-ND
别名：SP000013980
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 100A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC81D120E6
仓库库存编号：
SIDC81D120E6-ND
别名：SP000011952
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 100A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC81D120F6
仓库库存编号：
SIDC81D120F6-ND
别名：SP000014014
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 150A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC81D120H6
仓库库存编号：
SIDC81D120H6-ND
别名：SP000013213
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 200A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC81D60E6
仓库库存编号：
SIDC81D60E6-ND
别名：SP000011953
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 150A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC85D170H
仓库库存编号：
SIDC85D170H-ND
别名：SP000013981
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
SMBT3904PNE6327HTSA1
仓库库存编号：
SMBT3904PNE6327HTSA1TR-ND
别名：SMBT 3904PN E6327
SMBT 3904PN E6327-ND
SMBT3904PNE6327XT
SP000014740
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 330mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
SMBT3904SE6327HTSA1
仓库库存编号：
SMBT3904SE6327HTSA1TR-ND
别名：SMBT 3904S E6327
SMBT 3904S E6327-ND
SMBT3904SE6327XT
SP000014737
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN 40V 0.2A SC74-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
SMBT 3904U E6327
仓库库存编号：
SMBT 3904U E6327-ND
别名：SMBT3904UE6327XT
SP000012615
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
SMBT 3906 E6767
仓库库存编号：
SMBT 3906 E6767-ND
别名：SMBT3906E6767XT
SP000011677
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
SMBT3906SE6327HTSA1
仓库库存编号：
SMBT3906SE6327HTSA1TR-ND
别名：SMBT 3906S E6327
SMBT 3906S E6327-ND
SMBT3906SE6327XT
SP000016694
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002N E6327
仓库库存编号：
SN7002N E6327-ND
别名：SN7002NE6327XT
SP000014634
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002N E6433
仓库库存编号：
SN7002N E6433-ND
别名：SN7002NE6433XT
SP000014635
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W E6433
仓库库存编号：
SN7002W E6433-ND
别名：SN7002WE6433
SP000014286
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB08P06P
仓库库存编号：
SPB08P06P-ND
别名：SP000012508
SPB08P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2-03 G-ND
别名：SP000200140
SPB100N03S203GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2-04
仓库库存编号：
SPB100N04S2-04-ND
别名：SP000013711
SPB100N04S204T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N04S2L-03-ND
别名：SP000013712
SPB100N04S2L03T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2-05-ND
别名：SP000013713
SPB100N06S205T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2L-05-ND
别名：SP000013714
SPB100N06S2L05T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2-07-ND
别名：SP000013715
SPB100N08S207T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2L-07-ND
别名：SP000013716
SPB100N08S2L07T
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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