产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
详细描述:RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号:
BGB 540 E6327
仓库库存编号:
BGB 540 E6327-ND
别名:BGB540E6327XT
SP000013194
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03S
仓库库存编号:
BSC022N03S-ND
别名:BSC022N03ST
SP000014713
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024N025S G
仓库库存编号:
BSC024N025S G-ND
别名:BSC024N025SGXT
SP000095464
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N025S G
仓库库存编号:
BSC072N025S G-ND
别名:BSC072N025SGXT
SP000095468
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO064N03S
仓库库存编号:
BSO064N03S-ND
别名:BSO064N03SXT
SP000077646
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO094N03S
仓库库存编号:
BSO094N03S-ND
别名:BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO104N03S
仓库库存编号:
BSO104N03S-ND
别名:BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO200P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO303PNTMA1
仓库库存编号:
BSO303PNTMA1TR-ND
别名:BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BSP60E6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP60E6327HTSA1TR-ND
别名:BSP 60 E6327
BSP 60 E6327-ND
BSP60E6327BTSA1
BSP60E6327XT
SP000011131
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BSP 60 E6433
仓库库存编号:
BSP 60 E6433-ND
别名:BSP60E6433XT
SP000011135
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号:
BSP61E6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP61E6327HTSA1TR-ND
别名:BSP 61 E6327
BSP 61 E6327-ND
BSP61E6327BTSA1
BSP61E6327XT
SP000011132
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6327
仓库库存编号:
BSP125 E6327-ND
别名:BSP125E6327T
SP000011100
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125 E6433
仓库库存编号:
BSP125 E6433-ND
别名:BSP125E6433T
SP000011101
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP129L6327HTSA1TR-ND
别名:BSP129 L6327
BSP129 L6327-ND
BSP129L6327XT
SP000089218
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSP129L6906HTSA1TR-ND
别名:BSP129 L6906
BSP129 L6906-ND
BSP129L6906XT
SP000089219
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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