产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.5A(Ta) 560mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSV236SP L6327
仓库库存编号:
BSV236SPINCT-ND
别名:BSV236SPINCT
BSV236SPXTINCT
BSV236SPXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA
仓库库存编号:
IPB05N03LAINCT-ND
别名:IPB05N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA
仓库库存编号:
IPB06N03LAINCT-ND
别名:IPB06N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA
仓库库存编号:
IPB09N03LAINTR-ND
别名:IPB09N03LAINTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA
仓库库存编号:
IPB14N03LAINTR-ND
别名:IPB14N03LAINTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LA G
仓库库存编号:
IPD04N03LAGINCT-ND
别名:IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LA G
仓库库存编号:
IPD05N03LAGINTR-ND
别名:IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LA G
仓库库存编号:
IPD06N03LAGINCT-ND
别名:IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LA G
仓库库存编号:
IPD09N03LAGINCT-ND
别名:IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD13N03LA G
仓库库存编号:
IPD13N03LAGINCT-ND
别名:IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAGXTINCT-ND
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF05N03LA G
仓库库存编号:
IPF05N03LAGINCT-ND
别名:IPF05N03LAG
IPF05N03LAGINCT
IPF05N03LAGXTINCT
IPF05N03LAGXTINCT-ND
IPF05N03LAINCT
IPF05N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 50MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
MMBTA92LT1
仓库库存编号:
MMBTA92LT1INCT-ND
别名:MMBTA92LT1INCT
MMBTA92LT1XTINCT
MMBTA92LT1XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名:SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10
仓库库存编号:
SPB21N10INCT-ND
别名:SPB21N10INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10
仓库库存编号:
SPB35N10INTR-ND
别名:SPB35N10INTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD35N10
仓库库存编号:
SPD35N10INCT-ND
别名:SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08INTR-ND
别名:SPB73N03S2L08INTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05INTR-ND
别名:SPB80N03S2L05INTR
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名:SPB80N03S2L06INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N50C3
仓库库存编号:
SPD02N50C3INTR-ND
别名:SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
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