产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRL
仓库库存编号：
IRLR3715TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRR
仓库库存编号：
IRLR3715TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRL
仓库库存编号：
IRLR8103VTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRR
仓库库存编号：
IRLR8103VTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS3810
仓库库存编号：
IRFPS3810-ND
别名：*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述：通孔 P 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF6215L-103
仓库库存编号：
IRF6215L-103-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7757TR
仓库库存编号：
IRF7757TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET
详细描述：MOSFET
型号：
IRFC2604B
仓库库存编号：
IRFC2604B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30WSTRR
仓库库存编号：
IRG4BC30WSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT DIE
详细描述：IGBT 600V 55A Through Hole Die
型号：
IRG4CC50UB
仓库库存编号：
IRG4CC50UB-ND
别名：SP001541902
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7534D1TR
仓库库存编号：
IRF7534D1CT-ND
别名：*IRF7534D1TR
IRF7534D1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3716
仓库库存编号：
IRL3716-ND
别名：*IRL3716
Q1265959
SP001568284
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716S
仓库库存编号：
IRL3716S-ND
别名：*IRL3716S
Q1282555
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TR
仓库库存编号：
IRF5802TRCT-ND
别名：*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7476
仓库库存编号：
IRF7476-ND
别名：*IRF7476
Q1332195
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 32A 200W TO220
详细描述：IGBT 1200V 32A 200W Through Hole TO-220AB
型号：
BUP213
仓库库存编号：
BUP213IN-ND
别名：BUP213IN
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A
仓库库存编号：
BUZ30AIN-ND
别名：BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73
仓库库存编号：
BUZ73IN-ND
别名：BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
BUZ80A
仓库库存编号：
BUZ80AIN-ND
别名：BUZ80AIN
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO263
详细描述：IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole TO-220AB
型号：
SGP30N60XKSA1
仓库库存编号：
SGP30N60XKSA1-ND
别名：SGP30N60
SGP30N60IN
SGP30N60IN-ND
SP000683130
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60S5
仓库库存编号：
SPP07N60S5IN-ND
别名：SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PBKSA1-ND
别名：SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名：SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
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产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
型号：
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号：
SPP18P06PHKSA1-ND
别名：SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
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