产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30KD-STRR
仓库库存编号：
IRG4BC30KD-STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30W-STRL
仓库库存编号：
IRG4BC30W-STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC40W-S
仓库库存编号：
IRG4BC40W-S-ND
别名：*IRG4BC40W-S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 23.5A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC30S
仓库库存编号：
IRG4IBC30S-ND
别名：*IRG4IBC30S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC20U
仓库库存编号：
IRG4PC20U-ND
别名：*IRG4PC20U
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSH71UD
仓库库存编号：
IRG4PSH71UD-ND
别名：*IRG4PSH71UD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSH71U
仓库库存编号：
IRG4PSH71U-ND
别名：*IRG4PSH71U
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10KTRL
仓库库存编号：
IRG4RC10KTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10KTR
仓库库存编号：
IRG4RC10KTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10KTRR
仓库库存编号：
IRG4RC10KTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10SD
仓库库存编号：
IRG4RC10SD-ND
别名：*IRG4RC10SD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10STRL
仓库库存编号：
IRG4RC10STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10STR
仓库库存编号：
IRG4RC10STR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10UD
仓库库存编号：
IRG4RC10UD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10UTRL
仓库库存编号：
IRG4RC10UTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10UTR
仓库库存编号：
IRG4RC10UTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号：
IRG4RC10UTRR
仓库库存编号：
IRG4RC10UTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRL
仓库库存编号：
IRL1004STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004STRR
仓库库存编号：
IRL1004STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRL
仓库库存编号：
IRL1104STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104STRR
仓库库存编号：
IRL1104STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203NSTRR
仓库库存编号：
IRL2203NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505STRL
仓库库存编号：
IRL2505STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505STRR
仓库库存编号：
IRL2505STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2703STRL
仓库库存编号：
IRL2703STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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