产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(8919)
二极管 - 桥式整流器
(6)
二极管 - 整流器 - 阵列
(152)
二极管 - 整流器 - 单
(367)
二极管 - 射频
(141)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
(129)
功率驱动器模块
(106)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(42)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(64)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(164)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(339)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
(194)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(316)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
(353)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(5552)
晶体管 - IGBT - 模块
(81)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
(908)
晶体管 - JFET
(2)
晶体管 - 特殊用途
(3)
筛选品牌
Infineon Technologies(8919)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TR
仓库库存编号:
IRFR6215TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRR
仓库库存编号:
IRFR6215TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014N
仓库库存编号:
IRFR9014N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120NTRL
仓库库存编号:
IRFR9120NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120NTRR
仓库库存编号:
IRFR9120NTRR-ND
别名:SP001576116
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) TO-262
型号:
IRFSL41N15D
仓库库存编号:
IRFSL41N15D-ND
别名:*IRFSL41N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRL
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRL-ND
别名:SP001552444
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20FD-STRL
仓库库存编号:
IRG4BC20FD-STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20FD-STRR
仓库库存编号:
IRG4BC20FD-STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220-3
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20F-S
仓库库存编号:
IRG4BC20F-S-ND
别名:*IRG4BC20F-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KD-STRR
仓库库存编号:
IRG4BC20KD-STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20UD-S
仓库库存编号:
IRG4BC20UD-S-ND
别名:*IRG4BC20UD-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220-3
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20U-S
仓库库存编号:
IRG4BC20U-S-ND
别名:*IRG4BC20U-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20W-S
仓库库存编号:
IRG4BC20W-S-ND
别名:*IRG4BC20W-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30FD-S
仓库库存编号:
IRG4BC30FD-S-ND
别名:*IRG4BC30FD-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30F-S
仓库库存编号:
IRG4BC30F-S-ND
别名:*IRG4BC30F-S
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号