产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 6.8A 25W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC10UD
仓库库存编号：
IRG4IBC10UD-ND
别名：*IRG4IBC10UD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 14.3A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC20FD
仓库库存编号：
IRG4IBC20FD-ND
别名：*IRG4IBC20FD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 11.5A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC20KD
仓库库存编号：
IRG4IBC20KD-ND
别名：*IRG4IBC20KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC30FD
仓库库存编号：
IRG4IBC30FD-ND
别名：*IRG4IBC30FD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC30KD
仓库库存编号：
IRG4IBC30KD-ND
别名：*IRG4IBC30KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC30UD
仓库库存编号：
IRG4IBC30UD-ND
别名：*IRG4IBC30UD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20KD
仓库库存编号：
IRG4PH20KD-ND
别名：*IRG4PH20KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71KD
仓库库存编号：
IRG4PSC71KD-ND
别名：*IRG4PSC71KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 1200V 78A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSH71KD
仓库库存编号：
IRG4PSH71KD-ND
别名：*IRG4PSH71KD
SP001549506
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 250V 98A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 250V 98A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4P254S
仓库库存编号：
IRG4P254S-ND
别名：*IRG4P254S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30K
仓库库存编号：
IRG4PC30K-ND
别名：*IRG4PC30K
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30S
仓库库存编号：
IRG4PC30S-ND
别名：*IRG4PC30S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30U
仓库库存编号：
IRG4PC30U-ND
别名：*IRG4PC30U
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50K
仓库库存编号：
IRG4PC50K-ND
别名：*IRG4PC50K
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20K
仓库库存编号：
IRG4PH20K-ND
别名：*IRG4PH20K
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH30K
仓库库存编号：
IRG4PH30K-ND
别名：*IRG4PH30K
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5203
仓库库存编号：
IRLML5203-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS4502TR
仓库库存编号：
IRLMS4502CT-ND
别名：IRLMS4502
IRLMS4502-ND
IRLMS4502CT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1
仓库库存编号：
IRF7526D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010ESTRR
仓库库存编号：
IRF1010ESTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRL
仓库库存编号：
IRF1010NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010NSTRR
仓库库存编号：
IRF1010NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRF1104L
仓库库存编号：
IRF1104L-ND
别名：*IRF1104L
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104S
仓库库存编号：
IRF1104S-ND
别名：*IRF1104S
SP001563014
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104STRL
仓库库存编号：
IRF1104STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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