产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505
仓库库存编号：
IRFU5505-ND
别名：*IRFU5505
SP001552454
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120N
仓库库存编号：
IRFU9120N-ND
别名：*IRFU9120N
SP001573590
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NS
仓库库存编号：
IRFZ34NS-ND
别名：*IRFZ34NS
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ34NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号：
IRFZ44ESTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44NL
仓库库存编号：
IRFZ44NL-ND
别名：*IRFZ44NL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NS
仓库库存编号：
IRFZ46NS-ND
别名：*IRFZ46NS
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
94-2989
仓库库存编号：
94-2989-ND
别名：*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ48NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC20FD
仓库库存编号：
IRG4BC20FD-ND
别名：*IRG4BC20FD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC20KD
仓库库存编号：
IRG4BC20KD-ND
别名：*IRG4BC20KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC20S
仓库库存编号：
IRG4BC20S-ND
别名：*IRG4BC20S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC30S
仓库库存编号：
IRG4BC30S-ND
别名：*IRG4BC30S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 60A TO-220AB
详细描述：IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-220AB
型号：
92-0065
仓库库存编号：
92-0065-ND
别名：IRG4BC40S
IRG4BC40S-ND
SP001537884
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30KD
仓库库存编号：
IRG4PC30KD-ND
别名：*IRG4PC30KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40F
仓库库存编号：
IRG4PC40F-ND
别名：*IRG4PC40F
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40K
仓库库存编号：
IRG4PC40K-ND
别名：*IRG4PC40K
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH30KD
仓库库存编号：
IRG4PH30KD-ND
别名：*IRG4PH30KD
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH40K
仓库库存编号：
IRG4PH40K-ND
别名：*IRG4PH40K
SP001549534
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 130A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1004
仓库库存编号：
IRL1004-ND
别名：*IRL1004
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 130A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1004S
仓库库存编号：
IRL1004S-ND
别名：*IRL1004S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
型号：
94-2113
仓库库存编号：
94-2113-ND
别名：*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2505S
仓库库存编号：
IRL2505S-ND
别名：*IRL2505S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3102
仓库库存编号：
IRL3102-ND
别名：*IRL3102
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3102S
仓库库存编号：
IRL3102S-ND
别名：*IRL3102S
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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