产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名：IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名：IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218STRL
仓库库存编号：
AUIRF6218STRLTR-ND
别名：AUIRF6218STRLTR
SP001517990
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS6535TRL
仓库库存编号：
AUIRFS6535TRLTR-ND
别名：AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 150A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1405ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1405ZSTRL-ND
别名：SP001522112
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7534PBF
仓库库存编号：
IRFSL7534PBF-ND
别名：SP001568208
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT 1200V 15A Surface Mount Die
型号：
IRG7CH37K10EF
仓库库存编号：
IRG7CH37K10EF-ND
别名：SP001532534
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名：SP000236074
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB8407
仓库库存编号：
IRAUIRFB8407-ND
别名：IRAUIRFB8407
SP001517430
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFSL8407
仓库库存编号：
IRAUIRFSL8407-ND
别名：IRAUIRFSL8407
SP001517488
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS8407TRL
仓库库存编号：
IFAUIRFS8407TRL-ND
别名：IFAUIRFS8407TRL
SP001520480
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名：SP000949254
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS15B60KPBF
仓库库存编号：
IRGS15B60KPBF-ND
别名：SP001535722
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3007
仓库库存编号：
AUIRF3007-ND
别名：SP001522102
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号：
SPP11N60S5XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60S5XKSA1-ND
别名：SP000681044
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30UPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30UPBF-ND
别名：*IRG4PC30UPBF
SP001536064
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GXKSA1-ND
别名：SP000680654
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4263B
仓库库存编号：
IRGC4263B-ND
别名：SP001545994
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4660B
仓库库存编号：
IRGC4660B-ND
别名：SP001541712
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R399CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R399CPFKSA1-ND
别名：IPW50R399CP
IPW50R399CP-ND
SP000259980
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名：SP000915592
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名：SP000476924
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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