产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 240A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N03S4LR9ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N03S4LR9ATMA1-ND
别名:SP000932012
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名:IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N04S204AKSA2-ND
别名:SP001063634
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067948
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 163W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8405TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFS8405TRL-ND
别名:IFAUIRFS8405TRL
SP001517524
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 163W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL8405
仓库库存编号:
IRAUIRFSL8405-ND
别名:IRAUIRFSL8405
SP001522846
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 163W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB8405
仓库库存编号:
IRAUIRFB8405-ND
别名:IRAUIRFB8405
SP001516720
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30W-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BC30W-STRLPCT-ND
别名:IRG4BC30W-STRLPCT
IRG4BC30WSTRLP
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LAGXK
仓库库存编号:
IPU06N03LAGXK-ND
别名:IPU06N03LA
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN
IPU06N03LAGIN-ND
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGXTIN-ND
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-ND
SP000017594
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3206PBF
仓库库存编号:
IRFSL3206PBF-ND
别名:SP001578476
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 75W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名:SP001032726
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名:SP000979636
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名:IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 600V 11A 58W DPAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
型号:
IRGR4607DTRPBF
仓库库存编号:
IRGR4607DTRPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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IGBT 600V 28A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC30KPBF-ND
别名:*IRG4BC30KPBF
SP001541942
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C7ATMA1-ND
别名:SP000929424
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220-3
型号:
IRFB7434GPBF
仓库库存编号:
IRFB7434GPBF-ND
别名:SP001577770
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名:IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名:IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC40KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC40KPBF-ND
别名:*IRG4BC40KPBF
SP001535642
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Infineon Technologies,
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