产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名：SP001067944
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 87A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7740PBF
仓库库存编号：
IRFB7740PBF-ND
别名：SP001563958
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 87A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7740PBF
仓库库存编号：
IRFU7740PBF-ND
别名：SP001573600
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述：MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号：
AUIRFU1010Z
仓库库存编号：
AUIRFU1010Z-ND
别名：SP001516086
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
详细描述：IGBT Trench 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IGB30N60TATMA1
仓库库存编号：
IGB30N60TATMA1TR-ND
别名：IGB30N60T
IGB30N60T-ND
SP000095765
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP DSO-19
详细描述：二极管
型号：
IDP1301GXUMA1
仓库库存编号：
IDP1301GXUMA1-ND
别名：SP000951208
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名：SP000539970
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS6535
仓库库存编号：
AUIRFS6535-ND
别名：SP001516136
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB16N50C3
仓库库存编号：
SPB16N50C3INCT-ND
别名：SPB16N50C3INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO262
详细描述：IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-262
型号：
IRG4BC15UD-LPBF
仓库库存编号：
IRG4BC15UD-LPBF-ND
别名：*IRG4BC15UD-LPBF
SP001535612
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRL3705Z
仓库库存编号：
AUIRL3705Z-ND
别名：SP001519682
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名：SP000879440
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315STRL
仓库库存编号：
AUIRF3315STRL-ND
别名：SP001520192
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3407ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3407ZPBF-ND
别名：SP001560202
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRLP
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRLP-ND
别名：SP001573476
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL6B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL6B60KDPBF-ND
别名：*IRGSL6B60KDPBF
63-2008PBF
63-2008PBF-ND
SP001540950
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_LEGACY
型号：
SPP12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681048
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989096
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 77W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名：SP001296238
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
型号：
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
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LOW POWER_LEGACY
型号：
SPP07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681036
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