产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(8919)
二极管 - 桥式整流器
(6)
二极管 - 整流器 - 阵列
(152)
二极管 - 整流器 - 单
(367)
二极管 - 射频
(141)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(129)
功率驱动器模块
(106)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(42)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(64)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(164)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(339)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
(194)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(316)
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
(353)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(5552)
晶体管 - IGBT - 模块
(81)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(908)
晶体管 - JFET
(2)
晶体管 - 特殊用途
(3)
筛选品牌
Infineon Technologies(8919)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 63W TO220A
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 63W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB4B60KPBF
仓库库存编号：
IRGB4B60KPBF-ND
别名：*IRGB4B60KPBF
SP001546064
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N04S4H2AKSA1-ND
别名：IPI100N04S4-H2
IPI100N04S4-H2-ND
SP000711282
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 56A（Tc） 143W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4510PBF
仓库库存编号：
IRFU4510PBF-ND
别名：SP001557766
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名：SP001391614
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 40A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R520C6
仓库库存编号：
IPP60R520C6-ND
别名：IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名：IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 27.8W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840198
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI147N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI147N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3007SPBF
仓库库存编号：
IRF3007SPBF-ND
别名：*IRF3007SPBF
SP001553924
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR4620TRL
仓库库存编号：
AUIRFR4620TRL-ND
别名：SP001516660
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 130W TO220-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 30A 130W Through Hole PG-TO220-3
型号：
IGP15N60TXKSA1
仓库库存编号：
IGP15N60TXKSA1-ND
别名：IGP15N60T
IGP15N60T-ND
SP000683044
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S3H4AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-H4
IPI80N04S3-H4-ND
SP000415630
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S3H4AKSA1-ND
别名：IPP80N04S3-H4
IPP80N04S3-H4-ND
SP000415702
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB280N15NZ3GXUMA1
仓库库存编号：
BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
别名：BSB280N15NZ3 GCT
BSB280N15NZ3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名：BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名：SP001522352
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名：SP000979640
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
搜索
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
