以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA2-ND
  别名：SP001061720
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P407AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P407AKSA1-ND
  别名：SP000842042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L06AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L06AKSA1-ND
  别名：SP000842050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.5A（Tc） 24.9W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN70R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAN70R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001682068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP70N04S406AKSA1
  仓库库存编号：IPP70N04S406AKSA1-ND
  别名：IPP70N04S4-06
  IPP70N04S4-06-ND
  SP000711480
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR48ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR48ZTRL-ND
  别名：SP001520288
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8403TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8403TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8403TRL
  SP001518596
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8403
  仓库库存编号：IRAUIRFU8403-ND
  别名：IRAUIRFU8403
  SP001518276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3717PBF
  仓库库存编号：IRLR3717PBF-ND
  别名：*IRLR3717PBF
  SP001568638
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R420CFDCT
  IPD65R420CFDCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDATMA1-ND
  别名：SP001117738
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P405ATMA1-ND
  别名：SP000652618
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 52.3A（DC） PG-TO263-3-2
  
  型号：IDB30E60ATMA1
  仓库库存编号：IDB30E60ATMA1TR-ND
  别名：IDB30E60
  IDB30E60-ND
  SP000013917
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7540PBF
  仓库库存编号：IRFU7540PBF-ND
  别名：SP001565384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P4L04ATMA1-ND
  别名：SP000840196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD06N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3ATMA1-ND
  别名：SP001117770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  LOW POWER_LEGACY
  
  型号：IPD50R399CPATMA1
  仓库库存编号：IPD50R399CPATMA1-ND
  别名：SP001117700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  LOW POWER_LEGACY
  
  型号：IPD50R399CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R399CPBTMA1-ND
  别名：SP000307379
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 56A（Tc） 99W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7546PBF
  仓库库存编号：IRFU7546PBF-ND
  别名：SP001571892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80P03P4L07AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P4L07AKSA1-ND
  别名：IPI80P03P4L-07
  IPI80P03P4L-07-ND
  SP000396320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7440GPBF
  仓库库存编号：IRFB7440GPBF-ND
  别名：SP001577780
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA2-ND
  别名：SP001061718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288136
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ014NE2LS5IFATMA1
  仓库库存编号：BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
  别名：SP001258924
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL_100+
  
  型号：IPB50N12S3L15ATMA1
  仓库库存编号：IPB50N12S3L15ATMA1-ND
  别名：SP001398602
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Infineon Technologies,
• 
  
  无铅
• 搜索