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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4936ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820ALPBF
  仓库库存编号：IRF820ALPBF-ND
  别名：*IRF820ALPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 48A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR871DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR871DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR688DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR688DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  P-CH MOSFET SO-8 30V
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8-SOIC
  
  型号：SI4413DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4413DDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ402E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ402E-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ14STRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ14STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ14STRRPBF
  仓库库存编号：IRLZ14STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24SPBF
  仓库库存编号：IRLZ24SPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4124DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4124DY-T1-E3-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4874BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4874BDY-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4943BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4943BDY-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7840BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7840BDP-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7905DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7905DN-T1-E3-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ14STRLPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF720LPBF
  仓库库存编号：IRF720LPBF-ND
  别名：*IRF720LPBF
  
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  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4348DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4348DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4348DY-T1-E3TR
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7872DP-T1-E3TR
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7872DP-T1-GE3CT
  
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  MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6413DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6413DQ-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI520GPBF
  仓库库存编号：IRLI520GPBF-ND
  别名：*IRLI520GPBF
  
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  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224
  仓库库存编号：IRFD224-ND
  别名：*IRFD224
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Vishay Siliconix,
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