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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80Q
  仓库库存编号：IXFH20N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N80Q
  仓库库存编号：IXFH23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 132A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DLA100B1200LB
  仓库库存编号：DLA100B1200LB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P50
  仓库库存编号：IXTT10P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N100
  仓库库存编号：IXTH14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 800V 49A DO-203AB
  
  型号：DS35-08A
  仓库库存编号：DS35-08A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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• IXYS
  DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 800V 49A DO-203AB
  
  型号：DSI35-08A
  仓库库存编号：DSI35-08A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 36A, 22A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMP36-015P
  仓库库存编号：FMP36-015P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 600V 200A 695W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXX100N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK35N120BD1
  仓库库存编号：IXGK35N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR35N120B
  仓库库存编号：IXGR35N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N100L
  仓库库存编号：IXTH12N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50L
  仓库库存编号：IXTH24N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V SMPD
  详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 150V 75A Surface Mount 9-SMD Module
  
  型号：DSA120X150LB
  仓库库存编号：DSA120X150LB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V SMPD
  详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 200V 65A Surface Mount 9-SMD Module
  
  型号：DSA120X200LB-TRR
  仓库库存编号：DSA120X200LB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N80P
  仓库库存编号：IXFR44N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX35N120BD1
  仓库库存编号：IXGX35N120BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT PLUS247
  详细描述：IGBT Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX55N120A3D1
  仓库库存编号：IXGX55N120A3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGX55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX100N65B3D1
  仓库库存编号：IXYX100N65B3D1-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX90N60X
  仓库库存编号：IXFX90N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 75A 380W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 380W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT40N120B2D1
  仓库库存编号：IXGT40N120B2D1-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX12N90Q
  仓库库存编号：IXFX12N90Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N15
  仓库库存编号：IXTK90N15-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N100
  仓库库存编号：IXFT12N100-ND
  
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