产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N50Q
仓库库存编号：
IXFK32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100Q
仓库库存编号：
IXFH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 300W TO268
详细描述：IGBT PT 1200V 70A 300W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT35N120B
仓库库存编号：
IXGT35N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
详细描述：IGBT 1200V 43A 147W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
IXA30RG1200DHGLB
仓库库存编号：
IXA30RG1200DHGLB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
型号：
IXFR52N30Q
仓库库存编号：
IXFR52N30Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100Q
仓库库存编号：
IXTH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
详细描述：IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK35N120B
仓库库存编号：
IXGK35N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N10Q
仓库库存编号：
IXFT80N10Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100
仓库库存编号：
IXTH12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT80N20L
仓库库存编号：
IXTT80N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N50
仓库库存编号：
IXFX32N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1200V Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR40N120A2D1
仓库库存编号：
IXGR40N120A2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1200V Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR40N120B2D1
仓库库存编号：
IXGR40N120B2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX35N120B
仓库库存编号：
IXGX35N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 225A 1150W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX100N120B3
仓库库存编号：
IXYX100N120B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK72N60B3H1
仓库库存编号：
IXGK72N60B3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.5A（Tc） 80W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR4N100Q
仓库库存编号：
IXFR4N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE FAST DIODE ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 44A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBE26-06NO7
仓库库存编号：
VBE26-06NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60Q
仓库库存编号：
IXFT26N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N60Q
仓库库存编号：
IXFR26N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N50Q
仓库库存编号：
IXFR32N50Q-ND
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V SMPD
详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 150V 75A Surface Mount 9-SMD Module
型号：
DSA120X150LB-TRR
仓库库存编号：
DSA120X150LB-TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1700V 5.5A 50W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR6N170A
仓库库存编号：
IXGR6N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 62A, 54A 89W, 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMP76-010T
仓库库存编号：
FMP76-010T-ND
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IXYS
IGBT 1700V 24A 250W TO268
详细描述：IGBT NPT 1700V 24A 250W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT24N170A
仓库库存编号：
IXGT24N170A-ND
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