产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR72N60B3H1
仓库库存编号：
IXGR72N60B3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR72N60A3H1
仓库库存编号：
IXGR72N60A3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
详细描述：IGBT 1200V 43A 147W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
IXA30RG1200DHGLB-TRR
仓库库存编号：
IXA30RG1200DHGLB-TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N50P
仓库库存编号：
IXFR64N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR48N60P
仓库库存编号：
IXFR48N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 1200V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH28N120BD1
仓库库存编号：
IXGH28N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-268
型号：
IXFT28N50Q
仓库库存编号：
IXFT28N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FID36-06D
仓库库存编号：
FID36-06D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT10N100
仓库库存编号：
IXFT10N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR30N50Q
仓库库存编号：
IXFR30N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V ISOPLUS247?
型号：
IXFR9N80Q
仓库库存编号：
IXFR9N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D
仓库库存编号：
IXTT10N100D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50
仓库库存编号：
IXTH30N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1700V 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH2N170D2
仓库库存编号：
IXTH2N170D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
RECTIFIER BRIDGE
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 27A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBE17-06NO7
仓库库存编号：
VBE17-06NO7-ND
别名：VBE17-06N07
VBE17-06N07-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 21A 1200V ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 21A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBO21-12NO7
仓库库存编号：
VBO21-12NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N60P
仓库库存编号：
IXFR64N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 540W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N60P3
仓库库存编号：
IXFR80N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-268
型号：
IXTT140P10T
仓库库存编号：
IXTT140P10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-268
型号：
IXTT68P20T
仓库库存编号：
IXTT68P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 71A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N20Q
仓库库存编号：
IXFR80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX30N50Q
仓库库存编号：
IXFX30N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
DIODE BRIDGE 800V 54A ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 54A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBO54-08NO7
仓库库存编号：
VBO54-08NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
DIODE BRIDGE 800V 68A ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 68A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VBO68-08NO7
仓库库存编号：
VBO68-08NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 800V ECO-PAC1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 28A Chassis Mount ECO-PAC1
型号：
VUO28-08NO7
仓库库存编号：
VUO28-08NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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