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• IXYS
  IGBT 600V 190A 830W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 190A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH100N60C3
  仓库库存编号：IXXH100N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 600V 65A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FID60-06D
  仓库库存编号：FID60-06D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N60L2
  仓库库存编号：IXTQ30N60L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N80
  仓库库存编号：IXFH14N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A（Tc） 8-SOIC
  
  型号：IXT-1-1N100S1
  仓库库存编号：IXT-1-1N100S1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT60N25Q
  仓库库存编号：IXFT60N25Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N25Q
  仓库库存编号：IXFH60N25Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE ARRAY SCHOTTKY 250V TO263
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 250V 12A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  
  型号：DGSK20-025AS-TUBE
  仓库库存编号：DGSK20-025AS-TUBE-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 150A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N20T
  仓库库存编号：IXFH150N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE BRIDGE 21A 800V ECO-PAC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 21A Chassis Mount ECO-PAC1
  
  型号：VBO21-08NO7
  仓库库存编号：VBO21-08NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N60P
  仓库库存编号：IXFK48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT9N80Q
  仓库库存编号：IXFT9N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT72N20
  仓库库存编号：IXTT72N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N60Q
  仓库库存编号：IXFT23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 900V 47A 160W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR32N90B2D1
  仓库库存编号：IXGR32N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N80
  仓库库存编号：IXTH14N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 30A 1800V FO-B
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 30A QC Terminal FO-B
  
  型号：VBO36-18NO8
  仓库库存编号：VBO36-18NO8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 27A 1800V FO-B
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 27A QC Terminal FO-B
  
  型号：VUO36-18NO8
  仓库库存编号：VUO36-18NO8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
  详细描述：IGBT Array PT Half Bridge 1200V 32A 130W Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：IXA20PG1200DHGLB-TRR
  仓库库存编号：IXA20PG1200DHGLB-TRR-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 75A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK75N30
  仓库库存编号：IXTK75N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N55Q
  仓库库存编号：IXFH36N55Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N10L2
  仓库库存编号：IXTH75N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 145A 400W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXXR100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXR100N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N20Q
  仓库库存编号：IXFK88N20Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR58N20
  仓库库存编号：IXFR58N20-ND
  
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