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• IXYS
  IGBT 1000V 16A 54W TO263
  详细描述：IGBT PT 1000V 16A 54W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA8N100
  仓库库存编号：IXGA8N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1000V 16A 54W TO220
  详细描述：IGBT PT 1000V 16A 54W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP8N100
  仓库库存编号：IXGP8N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 400A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT400N075T2
  仓库库存编号：IXFT400N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH10N100D2
  仓库库存编号：IXTH10N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
  详细描述：IGBT 1600V 7A 70W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF9N160G
  仓库库存编号：IXBF9N160G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N50
  仓库库存编号：IXFT24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOD THYRISTOR DUAL 1600V I4-PAC
  详细描述：SCR Module 1600V 79A Series Connection - All SCRs Through Hole i4-Pac?-5
  
  型号：CMA50P1600FC
  仓库库存编号：CMA50P1600FC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N15
  仓库库存编号：IXTH48N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N160
  仓库库存编号：IXGH25N160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 75A 360W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 360W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH40N120A2
  仓库库存编号：IXGH40N120A2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE AVALANCHE 1.8KV 11A DO203
  详细描述：雪崩 底座，接线柱安装 二极管 1800V 11A DO-203AA
  
  型号：DSA9-18F
  仓库库存编号：DSA9-18F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 102A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK102N30P
  仓库库存编号：IXTK102N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 140A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK140N20P
  仓库库存编号：IXTK140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10P
  仓库库存编号：IXTK200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 520A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX520N075T2
  仓库库存编号：IXFX520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50L
  仓库库存编号：IXTQ30N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50L2
  仓库库存编号：IXTQ30N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 21A 1800V FO-B
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 21A QC Terminal FO-B
  
  型号：VBO22-18NO8
  仓库库存编号：VBO22-18NO8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 3PH 25A 1800V FO-B
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 25A QC Terminal PWS-E1
  
  型号：VUO25-18NO8
  仓库库存编号：VUO25-18NO8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 56A 290W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXYR50N120C3D1
  仓库库存编号：IXYR50N120C3D1-ND
  
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  IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  
  型号：IXDH30N120D1
  仓库库存编号：IXDH30N120D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N100P
  仓库库存编号：IXFR20N100P-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N20
  仓库库存编号：IXFH60N20-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N60
  仓库库存编号：IXTH20N60-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N60Q
  仓库库存编号：IXFT20N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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