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• IXYS
  IGBT 1200V 96A 577W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 96A 577W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N120B3
  仓库库存编号：IXYH40N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N30Q
  仓库库存编号：IXFT40N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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• IXYS
  IGBT 600V 220A 830W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 220A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH100N60B3
  仓库库存编号：IXXH100N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXDR30N120
  仓库库存编号：IXDR30N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 75A 380W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH40N120C3D1
  仓库库存编号：IXGH40N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 500A（Tc） 1000W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH500N04T2
  仓库库存编号：IXTH500N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH80N20L
  仓库库存编号：IXTH80N20L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 120A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N30T
  仓库库存编号：IXFK120N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50P
  仓库库存编号：IXFR44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXDR30N120D1
  仓库库存编号：IXDR30N120D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50L
  仓库库存编号：IXTH30N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 67A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR70N15
  仓库库存编号：IXFR70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N80P
  仓库库存编号：IXFK32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203
  详细描述：雪崩 底座，接线柱安装 二极管 1200V 25A DO-203AA
  
  型号：DS17-12A
  仓库库存编号：DS17-12A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE AVALANCHE 1.2KV 25A DO203
  详细描述：雪崩 底座，接线柱安装 二极管 1200V 25A DO-203AA
  
  型号：DSI17-12A
  仓库库存编号：DSI17-12A-ND
  别名：DSI1712A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  DIODE AVALANCHE 1.6KV 11A DO203
  详细描述：雪崩 底座，接线柱安装 二极管 1600V 11A DO-203AA
  
  型号：DSA9-16F
  仓库库存编号：DSA9-16F-ND
  别名：DSA916F
  Q2200165
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1700V 16A 190W TO268
  详细描述：IGBT NPT 1700V 16A 190W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT16N170A
  仓库库存编号：IXGT16N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N80
  仓库库存编号：IXTH13N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N150
  仓库库存编号：IXTH12N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 600V 30A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII30-06D
  仓库库存编号：FII30-06D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX200N10P
  仓库库存编号：IXFX200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N120A
  仓库库存编号：IXGH25N120A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150
  仓库库存编号：IXTT12N150-ND
  
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  IGBT 1700V 6A 75W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 6A 75W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT6N170AHV
  仓库库存编号：IXGT6N170AHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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  RECT BRIDGE 21A 1600V FO-B
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 21A QC Terminal FO-B
  
  型号：VBO22-16NO8
  仓库库存编号：VBO22-16NO8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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