产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10.5A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR18N90P
仓库库存编号:
IXFR18N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N20P
仓库库存编号:
IXFK120N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 714W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N15P
仓库库存编号:
IXFK150N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 715W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N10P
仓库库存编号:
IXFK170N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
3-PHASE BRIDGE RECT 800V 40A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 40A Through Hole GUFP
型号:
GUO40-08NO1
仓库库存编号:
GUO40-08NO1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1700V 1A(Tc) 290W(Tc) TO-263
型号:
IXTA1N170DHV
仓库库存编号:
IXTA1N170DHV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT100N25P
仓库库存编号:
IXTT100N25P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT88N30P
仓库库存编号:
IXTT88N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
THYRISTOR PHASE 1200V ISOPLUS247
详细描述:SCR 1200V 75A Standard Recovery Through Hole PLUS247?-3
型号:
CS60-12IO1
仓库库存编号:
CS60-12IO1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 208W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N80P
仓库库存编号:
IXFR24N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V PLUS247
详细描述:IGBT 1200V Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGX40N120BD1
仓库库存编号:
IXGX40N120BD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK200N10P
仓库库存编号:
IXFK200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 12A 75W TO247
详细描述:IGBT NPT 1700V 12A 75W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH6N170
仓库库存编号:
IXGH6N170-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
3-PHASE BRIDGE RECT 1600V 40A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 40A Through Hole 5-SIP
型号:
GUO40-16NO1
仓库库存编号:
GUO40-16NO1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 360A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX360N10T
仓库库存编号:
IXFX360N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N80A
仓库库存编号:
IXTH6N80A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50Q
仓库库存编号:
IXFT26N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50
仓库库存编号:
IXFT26N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 440A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 440A(Tc) 1000W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH440N055T2
仓库库存编号:
IXTH440N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号:
IXDH30N120
仓库库存编号:
IXDH30N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
DIODE AVALANCHE 1.2KV 11A DO203
详细描述:雪崩 底座,接线柱安装 二极管 1200V 11A DO-203AA
型号:
DSA9-12F
仓库库存编号:
DSA9-12F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50Q
仓库库存编号:
IXFR24N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50
仓库库存编号:
IXFR24N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 360A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK360N10T
仓库库存编号:
IXFK360N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N50Q
仓库库存编号:
IXFT24N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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