产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ21N50Q
仓库库存编号：
IXFQ21N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 500W TO247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH30N120C3
仓库库存编号：
IXYH30N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF200N10T
仓库库存编号：
IXTF200N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC23N60C5
仓库库存编号：
IXKC23N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 165A 830W TO247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH80N90C3
仓库库存编号：
IXYH80N90C3-ND
别名：Q7763666B
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N60X
仓库库存编号：
IXFQ50N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH9N160G
仓库库存编号：
IXBH9N160G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH6N170
仓库库存编号：
IXBH6N170-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
详细描述：IGBT NPT 1200V 38A 200W Through Hole TO-247AD
型号：
IXDH20N120D1
仓库库存编号：
IXDH20N120D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
型号：
IXTA3N150HV
仓库库存编号：
IXTA3N150HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH11P50
仓库库存编号：
IXTH11P50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO247
详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH15N120CD1
仓库库存编号：
IXGH15N120CD1-ND
别名：Q3354542
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 180A TO3P
详细描述：IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
型号：
IXGQ180N33TCD1
仓库库存编号：
IXGQ180N33TCD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FDM15-06KC5
仓库库存编号：
FDM15-06KC5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD15-06KC5
仓库库存编号：
FMD15-06KC5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 30A Through Hole ISOPLUS220?
型号：
DSEE29-06CC
仓库库存编号：
DSEE29-06CC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 340A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 340A（Tc） 935W（Tc） TO-268
型号：
IXFT340N075T2
仓库库存编号：
IXFT340N075T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P10
仓库库存编号：
IXTT50P10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N80P
仓库库存编号：
IXFR20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH35N60C5
仓库库存编号：
IXKH35N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO268
详细描述：IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT20N120BD1
仓库库存编号：
IXGT20N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH69N30P
仓库库存编号：
IXFH69N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
IGBT 600V 75A 380W TO268
详细描述：IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT60N60C3D1
仓库库存编号：
IXGT60N60C3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ44N50P
仓库库存编号：
IXTQ44N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 43A 150W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXA27IF1200HJ
仓库库存编号：
IXA27IF1200HJ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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