产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT30N50P
仓库库存编号：
IXTT30N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N60P
仓库库存编号：
IXTT26N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 250W TO247AD
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号：
IXDH35N60BD1
仓库库存编号：
IXDH35N60BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO268
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT50N90B2
仓库库存编号：
IXGT50N90B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120P
仓库库存编号：
IXFH6N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 330W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH56N60B3D1
仓库库存编号：
IXGH56N60B3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH86N30T
仓库库存编号：
IXFH86N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 120A 600W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
型号：
IXXH50N60B3
仓库库存编号：
IXXH50N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 100A 600W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
型号：
IXXH50N60C3
仓库库存编号：
IXXH50N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH72N60C3
仓库库存编号：
IXGH72N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH360N055T2
仓库库存编号：
IXTH360N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N60P3
仓库库存编号：
IXFT50N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N50P3
仓库库存编号：
IXFH50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1PHASE I4-PAC-5
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 40A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FBO40-12N
仓库库存编号：
FBO40-12N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100P
仓库库存编号：
IXFH15N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 40A TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N160
仓库库存编号：
IXGH20N160-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 42A 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N140C3H1
仓库库存编号：
IXGH20N140C3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 60A 300W TO247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH28N140B3H1
仓库库存编号：
IXGH28N140B3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 60A 300W PLUS247
详细描述：IGBT Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX28N140B3H1
仓库库存编号：
IXGX28N140B3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE AVALANCHE 1200V 3.6A AXIAL
详细描述：雪崩 通孔 二极管 3.6A 轴向
型号：
DSA2-12A
仓库库存编号：
DSA2-12A-ND
别名：DSA212A
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT20N80P
仓库库存编号：
IXFT20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH72N60A3
仓库库存编号：
IXGH72N60A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 715W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ170N10P
仓库库存编号：
IXTQ170N10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N06P
仓库库存编号：
IXTQ200N06P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 8-SOIC
型号：
IXT-1-1N100S1-TR
仓库库存编号：
IXT-1-1N100S1-TR-ND
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