产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-247
型号:
IXFH18N60X
仓库库存编号:
IXFH18N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA3N80
仓库库存编号:
IXFA3N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 20A 110W TO268
详细描述:IGBT NPT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT10N170
仓库库存编号:
IXGT10N170-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 60A 300W TO264
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK28N140B3H1
仓库库存编号:
IXGK28N140B3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36N50P
仓库库存编号:
IXTH36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXTT8P50
仓库库存编号:
IXTT8P50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60P
仓库库存编号:
IXFH30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT88N30P
仓库库存编号:
IXFT88N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 860W(Tc) TO-268
型号:
IXFT86N30T
仓库库存编号:
IXFT86N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC20N60C
仓库库存编号:
IXKC20N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT120N15P
仓库库存编号:
IXTT120N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT96N20P
仓库库存编号:
IXTT96N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V 30A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30A Through Hole ISOPLUS247?
型号:
DSSK60-02AR
仓库库存编号:
DSSK60-02AR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH30N60C5
仓库库存编号:
IXKH30N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ150N30TCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100P
仓库库存编号:
IXFH10N100P-ND
别名:Q4374359
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 44A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH44P15T
仓库库存编号:
IXTH44P15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247AD
型号:
IXDH20N120
仓库库存编号:
IXDH20N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 64A 300W TO268
详细描述:IGBT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT32N90B2D1
仓库库存编号:
IXGT32N90B2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH32P20T
仓库库存编号:
IXTH32P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 150W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH20N120
仓库库存编号:
IXGH20N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT120N15P
仓库库存编号:
IXFT120N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT140N10P
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