产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU
详细描述：标准 底座安装 二极管 1400V Y1-CU
型号：
MDO1200-14N1
仓库库存编号：
MDO1200-14N1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU
详细描述：标准 底座安装 二极管 1600V Y1-CU
型号：
MDO1200-16N1
仓库库存编号：
MDO1200-16N1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU
详细描述：标准 底座安装 二极管 1800V Y1-CU
型号：
MDO1200-18N1
仓库库存编号：
MDO1200-18N1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 2KV Y1-CU
详细描述：标准 底座安装 二极管 2000V Y1-CU
型号：
MDO1200-20N1
仓库库存编号：
MDO1200-20N1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU
详细描述：标准 底座安装 二极管 2200V Y1-CU
型号：
MDO1200-22N1
仓库库存编号：
MDO1200-22N1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE SGL 1200A E11
详细描述：IGBT Module NPT Single Switch 3300V 1200A Chassis Mount E11
型号：
MIO1200-33E11
仓库库存编号：
MIO1200-33E11-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE SGL 1500A E10
详细描述：IGBT Module NPT Single Switch 2500V 1500A Chassis Mount E10
型号：
MIO1500-25E10
仓库库存编号：
MIO1500-25E10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT E9PACK
详细描述：IGBT Module Chassis Mount
型号：
MWI451-17E9
仓库库存编号：
MWI451-17E9-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 1900A（Tc） Y3-Li
型号：
VMO1600-02P
仓库库存编号：
VMO1600-02P-ND
别名：VMO160002P
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK210N17T
仓库库存编号：
IXFK210N17T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX210N17T
仓库库存编号：
IXFX210N17T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 170V 245A（Tc） 1090W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN260N17T
仓库库存编号：
IXFN260N17T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK260N17T
仓库库存编号：
IXFK260N17T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX260N17T
仓库库存编号：
IXFX260N17T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 80A 400W TO268
详细描述：IGBT 3000V 80A 400W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT32N300
仓库库存编号：
IXBT32N300-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 46A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP260
仓库库存编号：
IRFP260X-ND
别名：IRFP260X
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP264
仓库库存编号：
IRFP264X-ND
别名：IRFP264X
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 36A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC62N15P
仓库库存编号：
IXTC62N15P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV02N250S
仓库库存编号：
IXTV02N250S-ND
别名：Q4965894
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 43A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN52N90P
仓库库存编号：
IXFN52N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV12N90P
仓库库存编号：
IXFV12N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV18N90P
仓库库存编号：
IXFV18N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV12N90PS
仓库库存编号：
IXFV12N90PS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV18N90PS
仓库库存编号：
IXFV18N90PS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
详细描述：表面贴装 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 130W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV03N400S
仓库库存编号：
IXTV03N400S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 IXYS,
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