产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM19G
仓库库存编号：
APTM50SKM19G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400DA120G
仓库库存编号：
APTGT400DA120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400SK120G
仓库库存编号：
APTGT400SK120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号：
APTGT300DA170D3G
仓库库存编号：
APTGT300DA170D3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号：
APTGT300SK170D3G
仓库库存编号：
APTGT300SK170D3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 140A 480W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT100H120G
仓库库存编号：
APTGT100H120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300DH60G
仓库库存编号：
APTGT300DH60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 600A 2250W D4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 600A 2250W Chassis Mount D4
型号：
APTGT400U120D4G
仓库库存编号：
APTGT400U120D4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 90A 694W Chassis Mount SP6
型号：
APTM50DHM38G
仓库库存编号：
APTM50DHM38G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200A120D3G
仓库库存编号：
APTGT200A120D3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200DH120G
仓库库存编号：
APTGT200DH120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM05G
仓库库存编号：
APTM20DAM05G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20SKM05G
仓库库存编号：
APTM20SKM05G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4899
仓库库存编号：
1N4899-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
型号：
APTM100A18FTG
仓库库存编号：
APTM100A18FTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6
型号：
APTGLQ200HR120G
仓库库存编号：
APTGLQ200HR120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 71A（Tc） 300W（Tc） SOT-227
型号：
APT50MC120JCU2
仓库库存编号：
APT50MC120JCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10DHM05G
仓库库存编号：
APTM10DHM05G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
型号：
APTM100H35FTG
仓库库存编号：
APTM100H35FTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IC BYISTOR FOR PWR AMP 55GV
详细描述：Transistor Linear Amplifier Bias BYSISTOR 55V 700mA Stud Mount 55FT
型号：
BYI-1F
仓库库存编号：
BYI-1F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4903
仓库库存编号：
1N4903-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 175W 4A M220
详细描述：RF Transistor NPN 25V 4A 1.025GHz ~ 1.15GHz 175W Chassis Mount M220
型号：
MS2553C
仓库库存编号：
MS2553C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4903A
仓库库存编号：
1N4903A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
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