产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号：
JAN1N4569A-1
仓库库存编号：
1086-18162-ND
别名：1086-18162
1086-18162-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4907A
仓库库存编号：
1N4907A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200DA120D3G
仓库库存编号：
APTGT200DA120D3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200SK120D3G
仓库库存编号：
APTGT200SK120D3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4915
仓库库存编号：
1N4915-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4911
仓库库存编号：
1N4911-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号：
2N2432
仓库库存编号：
1086-20730-ND
别名：1086-20730
1086-20730-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 690AW（Tc） ISOTOP?
型号：
APT12031JFLL
仓库库存编号：
APT12031JFLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 200V 35A DO-5
型号：
JANTX1N1186
仓库库存编号：
1086-15278-ND
别名：1086-15278-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
型号：
JANTXV2N2919U
仓库库存编号：
1086-20771-ND
别名：1086-20771
1086-20771-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 35A DO-5
型号：
JANTXV1N3766R
仓库库存编号：
1086-16817-ND
别名：1086-16817
1086-16817-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4915A
仓库库存编号：
1N4915A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
详细描述：Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7
型号：
1N4911A
仓库库存编号：
1N4911A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 11W 700MA 55FT3
详细描述：RF Transistor NPN 30V 700mA 225MHz ~ 400MHz 11W Chassis, Stud Mount 55FT
型号：
UMIL3
仓库库存编号：
UMIL3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 430A 1150W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300DA60G
仓库库存编号：
APTGT300DA60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 430A 1150W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300SK60G
仓库库存编号：
APTGT300SK60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TA15PG
仓库库存编号：
APTC80TA15PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TDU15PG
仓库库存编号：
APTC80TDU15PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80A15SCTG
仓库库存编号：
APTC80A15SCTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200DA120G
仓库库存编号：
APTGT200DA120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200SK120G
仓库库存编号：
APTGT200SK120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 500V 3.5A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 3.5A 5W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTXV2N5157
仓库库存编号：
1086-21032-ND
别名：1086-21032
1086-21032-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N6051
仓库库存编号：
1086-15533-ND
别名：1086-15533-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTX2N6059
仓库库存编号：
1086-21084-ND
别名：1086-21084
1086-21084-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 20A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 20A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JANTXV2N6286
仓库库存编号：
1086-21097-ND
别名：1086-21097
1086-21097-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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