产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT35X120T3G
仓库库存编号：
APTGT35X120T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM24T1G
仓库库存编号：
APTC60AM24T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60HM45T1G
仓库库存编号：
APTC60HM45T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE 20A 600V SP1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Chassis Mount SP1
型号：
APTDC20H601G
仓库库存编号：
APTDC20H601G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 10A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 5W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JAN2N3716
仓库库存编号：
1086-20900-ND
别名：1086-20900
1086-20900-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 65A SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 65A 220W Chassis Mount SP3
型号：
APTGL40X120T3G
仓库库存编号：
APTGL40X120T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JLL
仓库库存编号：
APT60M75JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 12A DO-203AA（DO-4）
型号：
JAN1N3671R
仓库库存编号：
1086-16807-ND
别名：1086-16807
1086-16807-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M19JVR
仓库库存编号：
APT30M19JVR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JAN2N6052
仓库库存编号：
1086-21080-ND
别名：1086-21080
1086-21080-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JAN2N6058
仓库库存编号：
1086-21081-ND
别名：1086-21081
1086-21081-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号：
JAN2N6059
仓库库存编号：
1086-21083-ND
别名：1086-21083
1086-21083-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM20DHM16T3G
仓库库存编号：
APTM20DHM16T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM100DDA35T3G
仓库库存编号：
APTM100DDA35T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM100DSK35T3G
仓库库存编号：
APTM100DSK35T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100DU120TG
仓库库存编号：
APTGT100DU120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60HM70BT3G
仓库库存编号：
APTC60HM70BT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100A120TG
仓库库存编号：
APTGT100A120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2PNP 60V 0.05A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号：
JANTXV2N3810U
仓库库存编号：
1086-3088-ND
别名：1086-3088
1086-3088-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 19.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N4924
仓库库存编号：
1N4924-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
型号：
APTM120A65FT1G
仓库库存编号：
APTM120A65FT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
NPN TRANSISTOR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 1W Surface Mount U4
型号：
2N3507AU4
仓库库存编号：
2N3507AU4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT75DH120TG
仓库库存编号：
APTGT75DH120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 19.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N4924A
仓库库存编号：
1N4924A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 50A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 600V 50A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X51DC60J
仓库库存编号：
APT2X51DC60J-ND
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