产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 20A DO4
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 20A（DC） DO-4
型号：
UES706
仓库库存编号：
UES706-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DDAM09T3G
仓库库存编号：
APTM10DDAM09T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DSKM09T3G
仓库库存编号：
APTM10DSKM09T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT75X60T3G
仓库库存编号：
APTGT75X60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号：
JANTXV2N2919L
仓库库存编号：
1086-20767-ND
别名：1086-20767
1086-20767-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号：
JANTXV2N2920L
仓库库存编号：
1086-20775-ND
别名：1086-20775
1086-20775-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT50DH120TG
仓库库存编号：
APTGT50DH120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60HM70BT3G
仓库库存编号：
APTCV60HM70BT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 15V
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount UA
型号：
JANTXV2N2369AUA
仓库库存编号：
1086-20729-ND
别名：1086-20729
1086-20729-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 100A 350W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT75DU120TG
仓库库存编号：
APTGT75DU120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 200A Chassis Mount M3
型号：
MSD200-12
仓库库存编号：
MSD200-12-ND
别名：MSD20012
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT50A170TG
仓库库存编号：
APTGT50A170TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 19.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号：
1N4920A
仓库库存编号：
1N4920A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80F60J
仓库库存编号：
APT80F60J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 150A 560W SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100DA170TG
仓库库存编号：
APTGT100DA170TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 150A 560W SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100SK170TG
仓库库存编号：
APTGT100SK170TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 50V 20A DO-203AA
型号：
1N5812
仓库库存编号：
1N5812-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 40V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4234
仓库库存编号：
1086-20965-ND
别名：1086-20965
1086-20965-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4236
仓库库存编号：
1086-20968-ND
别名：1086-20968
1086-20968-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4237
仓库库存编号：
1086-20971-ND
别名：1086-20971
1086-20971-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4238
仓库库存编号：
1086-20974-ND
别名：1086-20974
1086-20974-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTXV2N4239
仓库库存编号：
1086-20977-ND
别名：1086-20977
1086-20977-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT50H120T3G
仓库库存编号：
APTGT50H120T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 225A SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 600W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT150A60T3AG
仓库库存编号：
APTGT150A60T3AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号：
APTM120DA30CT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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