产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M40JVR
仓库库存编号：
APT30M40JVR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 110A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1
型号：
APTGL90DA120T1G
仓库库存编号：
APTGL90DA120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 110A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1
型号：
APTGL90SK120T1G
仓库库存编号：
APTGL90SK120T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
型号：
APTC80H29T3G
仓库库存编号：
APTC80H29T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 150V 6A D5B
详细描述：标准 表面贴装 二极管 150V 6A D-5B
型号：
1N6078US
仓库库存编号：
1N6078US-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
详细描述：标准 表面贴装 二极管 50V 2A G-MELF（D-5C）
型号：
1N6079US
仓库库存编号：
1N6079US-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 70V 10A TO-5
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 10A 1W Through Hole TO-5
型号：
JANTX2N4150
仓库库存编号：
1086-20959-ND
别名：1086-20959
1086-20959-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 70V 10A TO-5
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 10A 1W Through Hole TO-5
型号：
JANTXV2N4150
仓库库存编号：
1086-20960-ND
别名：1086-20960
1086-20960-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2LLG
仓库库存编号：
APT12057B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT26M100JCU2
仓库库存编号：
APT26M100JCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT26M100JCU3
仓库库存编号：
APT26M100JCU3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35
详细描述：Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
型号：
JAN1N4574A-1
仓库库存编号：
1086-18186-ND
别名：1086-18186
1086-18186-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58F50J
仓库库存编号：
APT58F50J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.4V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 6.4V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号：
JAN1N4584AUR-1
仓库库存编号：
1086-18244-ND
别名：1086-18244
1086-18244-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT50GR120JD30
仓库库存编号：
APT50GR120JD30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 32A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT20TL601G
仓库库存编号：
APTGT20TL601G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO-5
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 1200V 40A DO-5
型号：
S304120
仓库库存编号：
S304120-ND
别名：Q4436658
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 600V 80A SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50DH60T1G
仓库库存编号：
APTGT50DH60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 40V 3A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JAN2N3867S
仓库库存编号：
1086-20925-ND
别名：1086-20925
1086-20925-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.003A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JAN2N3868S
仓库库存编号：
1086-20929-ND
别名：1086-20929
1086-20929-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号：
2N2920
仓库库存编号：
2N2920-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 0.05A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Surface Mount UA
型号：
JANTXV2N2484UA
仓库库存编号：
1086-20735-ND
别名：1086-20735
1086-20735-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 2.4V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA
型号：
JANTXV1N4370CUR-1
仓库库存编号：
1086-17588-ND
别名：1086-17588
1086-17588-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA
详细描述：Zener Diode 2.4V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA
型号：
JANTXV1N4370DUR-1
仓库库存编号：
1086-17594-ND
别名：1086-17594
1086-17594-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
详细描述：标准 通孔 二极管 400V 3A
型号：
UES1306
仓库库存编号：
UES1306-ND
别名：Q10524520
产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Microsemi Corporation,
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