产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1628)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(265)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
(1360)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(3)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp(9)
Diodes Incorporated(154)
Infineon Technologies(64)
M/A-Com Technology Solutions(1)
Micro Commercial Co(4)
Microsemi Corporation(15)
Nexperia USA Inc.(176)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(307)
Panasonic Electronic Components(406)
Rohm Semiconductor(203)
Sanken(3)
STMicroelectronics(26)
Texas Instruments(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(253)
TT Electronics/Optek Technology(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1911FETE85LF
仓库库存编号：
RN1911FETE85LFCT-ND
别名：RN1911FETE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2911,LF
仓库库存编号：
RN2911LFCT-ND
别名：RN2911LF(CTCT
RN2911LF(CTCT-ND
RN2911LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2903,LF
仓库库存编号：
RN2903LFCT-ND
别名：RN2903LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904,LF
仓库库存编号：
RN2904LFCT-ND
别名：RN2904LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4904,LF
仓库库存编号：
RN4904LFCT-ND
别名：RN4904LF(CTCT
RN4904LF(CTCT-ND
RN4904LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2601(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2601(TE85LF)CT-ND
别名：RN2601(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1510(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1510(TE85LF)CT-ND
别名：RN1510(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2A01FU-Y(TE85L,F
仓库库存编号：
HN2A01FU-Y(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FU-Y(TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2C01FU-GR(T5L,F)
仓库库存编号：
HN2C01FU-GR(T5LF)CT-ND
别名：HN2C01FU-GR(T5LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1905,LF
仓库库存编号：
RN1905LFCT-ND
别名：RN1905LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1906,LF
仓库库存编号：
RN1906LFCT-ND
别名：RN1906LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1907,LF
仓库库存编号：
RN1907LFCT-ND
别名：RN1907LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4902,LF
仓库库存编号：
RN4902LFCT-ND
别名：RN4902LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4981,LF(CT
仓库库存编号：
RN4981LF(CTCT-ND
别名：RN4981(T5LFT)CT
RN4981(T5LFT)CT-ND
RN4981LF(CTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4906FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4906FELF(CBCT-ND
别名：RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FE(TE85LF)CT-ND
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CTCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC114TU-7
仓库库存编号：
DDC114TUDICT-ND
别名：DDC114TUDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC114TU-7
仓库库存编号：
981-DDC114TU-7-CHP
别名：DDC114TU7
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA143TU-7
仓库库存编号：
DDA143TUDICT-ND
别名：DDA143TUDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA143TU-7
仓库库存编号：
981-DDA143TU-7-CHP
别名：DDA143TU7
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA114EU-7
仓库库存编号：
DDA114EUDICT-ND
别名：DDA114EUDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA114EU-7
仓库库存编号：
981-DDA114EU-7-CHP
别名：DDA114EU7
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount USV
型号：
2SA1873-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
2SA1873-GR(TE85LFCT-ND
别名：2SA1873-GR(TE85LF)CT
2SA1873-GR(TE85LF)CT-ND
2SA1873-GR(TE85LFCT
2SA1873-GRTE85LCT
2SA1873-GRTE85LCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
型号：
HN4A56JU(TE85L,F)
仓库库存编号：
HN4A56JU(TE85LF)CT-ND
别名：HN4A56JU(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
HN1C01FYTE85LF
仓库库存编号：
HN1C01FYTE85LFCT-ND
别名：HN1C01FYTE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1605TE85LF
仓库库存编号：
RN1605TE85LFCT-ND
别名：RN1605TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
