产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 100V 110A（Tc） 270W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR140P10T
仓库库存编号：
IXTR140P10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12.5A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH13N100
仓库库存编号：
IXFH13N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 90A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX90N20Q
仓库库存编号：
IXFX90N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR55N120A3H1
仓库库存编号：
IXGR55N120A3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP27N60K
仓库库存编号：
IRFP27N60K-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH40N50L2
仓库库存编号：
IXTH40N50L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
型号：
APT70GR65B2SCD30
仓库库存编号：
APT70GR65B2SCD30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N80Q
仓库库存编号：
IXFH20N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH23N80Q
仓库库存编号：
IXFH23N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH14N100
仓库库存编号：
IXTH14N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 200A 695W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX100N60B3H1
仓库库存编号：
IXXX100N60B3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 625W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT50GP60BG
仓库库存编号：
APT50GP60BG-ND
别名：APT50GP60BGMI
APT50GP60BGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100L
仓库库存编号：
IXTH12N100L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH24N50L
仓库库存编号：
IXTH24N50L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX35N120BD1
仓库库存编号：
IXGX35N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT PLUS247
详细描述：IGBT Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX55N120A3D1
仓库库存编号：
IXGX55N120A3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX55N120A3H1
仓库库存编号：
IXGX55N120A3H1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
详细描述：IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX100N65B3D1
仓库库存编号：
IXYX100N65B3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP460LC
仓库库存编号：
IRFP460LC-ND
别名：*IRFP460LC
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX90N60X
仓库库存编号：
IXFX90N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT47N65BC3G
仓库库存编号：
APT47N65BC3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX12N90Q
仓库库存编号：
IXFX12N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX44N50Q
仓库库存编号：
IXFX44N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N90P
仓库库存编号：
IXFX32N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH47N60C
仓库库存编号：
IXKH47N60C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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