产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 800V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N80
仓库库存编号：
IXFH15N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH17N80Q
仓库库存编号：
IXFH17N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5016BFLLG
仓库库存编号：
APT5016BFLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90
仓库库存编号：
IXFH12N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100Q
仓库库存编号：
IXFH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100Q
仓库库存编号：
IXTH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100
仓库库存编号：
IXTH12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N50
仓库库存编号：
IXFX32N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX35N120B
仓库库存编号：
IXGX35N120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
详细描述：IGBT PT 1200V 225A 1150W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX100N120B3
仓库库存编号：
IXYX100N120B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 5.5A 50W ISOPLUS247
详细描述：IGBT 1700V 5.5A 50W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR6N170A
仓库库存编号：
IXGR6N170A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 310A 1630W TO247
详细描述：IGBT 900V 310A 1630W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXYX140N90C3
仓库库存编号：
IXYX140N90C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60Q
仓库库存编号：
IXFH26N60Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT34M60B
仓库库存编号：
APT34M60B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
详细描述：IGBT NPT 1700V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH24N170
仓库库存编号：
IXGH24N170-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N20Q
仓库库存编号：
IXFH80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 100V 170A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX170P10P
仓库库存编号：
IXTX170P10P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 240A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX240N15T2
仓库库存编号：
IXFX240N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 16A 190W TO247
详细描述：IGBT NPT 1700V 16A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH16N170AH1
仓库库存编号：
IXGH16N170AH1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 28A TO247AD
详细描述：IGBT 2500V 28A 310W Through Hole TO-247AD
型号：
IXYH12N250C
仓库库存编号：
IXYH12N250C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
型号：
STY60NM60
仓库库存编号：
497-3268-5-ND
别名：497-3268-5
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX88N20Q
仓库库存编号：
IXFX88N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20
仓库库存编号：
IXFH74N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX15N100
仓库库存编号：
IXFX15N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT30M70BVFRG
仓库库存编号：
APT30M70BVFRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3,
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